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雙靶磁控濺射鍍膜機(jī)的特點(diǎn)有哪些？

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產(chǎn)品特點(diǎn)

1：此款鍍膜儀配置有兩個(gè)靶槍?zhuān)阂粋€(gè)靶槍配套的是射頻電源，用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜；一個(gè)靶槍配套的是直流電源，用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應(yīng)用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。

磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。

濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過(guò)程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。

自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。主要問(wèn)題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽(yáng)極，真空腔體表面以及靶源表面，從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個(gè)2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)有哪些特點(diǎn)？

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自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)：

不銹鋼腔體

晶振夾具具有的<1 ?的厚度分辨率

帶觀察視窗的腔門(mén)易于上下的載片

基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)控制

帶密碼保護(hù)功能的多級(jí)訪問(wèn)控制

完全的安全聯(lián)鎖功能

預(yù)真空鎖以及自動(dòng)晶圓片上/下的載片