氣相化學(xué)沉積設(shè)備-沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)-氣相化學(xué)沉積設(shè)備價(jià)格

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過(guò)大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。

Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，氣相化學(xué)沉積設(shè)備，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來(lái)將很有潛力。

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達(dá) 70%以上。

ICP刻蝕機(jī)裝片介紹

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等離子體系統(tǒng)效應(yīng)的過(guò)程轉(zhuǎn)換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒(méi)有大的縫隙。冷熱探針?lè)▽A具平穩(wěn)放入反應(yīng)室的支架上，氣相化學(xué)沉積設(shè)備哪家好，關(guān)好反應(yīng)室的蓋子。等離子刻蝕檢驗(yàn)原理為冷熱探針?lè)?，具體方法如下：熱探針和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言將是正的。同樣道理，P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。此電勢(shì)差可以用簡(jiǎn)單的微伏表測(cè)量。熱探針的結(jié)構(gòu)可以是將小的熱線圈繞在一個(gè)探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。

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