氣相化學沉積設備-沈陽鵬程公司-氣相化學沉積設備報價

ICP刻蝕機的檢測技術(shù)

預報式檢測

隨著主流半導體工藝技術(shù)由0.18 μm 逐漸轉(zhuǎn)移到0.13 μm工藝，以及較新的90 nm 工藝成功研發(fā)及投入使用。半導體器件的特征尺寸進一步減小，柵氧層的厚度越來越薄。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好， 則非常容易出現(xiàn)柵氧層的損傷；同時， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，所檢測到的終點信號的強度下降，信號的信噪比降低。所有這些因素都對終點檢測技術(shù)本身及其測量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴格的要求。在0.18 μm工藝時，使用單一的OES檢測手段就可滿足工藝需求;進入0.13 μm 工藝后，氣相化學沉積設備報價，就必須結(jié)合使用OES 及IEP 兩種檢測手段。由于IEP技術(shù)可以在刻蝕終點到達之前進行預報，因而被稱為預報式終點檢測技術(shù)。

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物理氣相沉積和化學氣相沉積的區(qū)別

化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強。

化學雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的繞射性好

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化學氣相沉積過程介紹

化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經(jīng)化學反應，氣相化學沉積設備哪家好，在基體表面形成覆層。

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