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藍(lán)光同茂放心選購(gòu)-大功率噴淋蝕刻機(jī)金屬上刻字

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發(fā)布時(shí)間:2022-07-24 03:21  

目前市場(chǎng)主流常規(guī)水平式蝕刻機(jī),在板子雙面同時(shí)噴淋蝕刻過程中,顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好,上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會(huì)形成蝕刻液的“水池”,嚴(yán)重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機(jī)的一組模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件,吸取板面走蝕刻液,不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達(dá)到 -0.01mm,相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出一倍,產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出三分之一,同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來(lái)強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力!












zui近光刻機(jī)和蝕刻機(jī)一直都是當(dāng)前zui熱的話題,可以說(shuō)光刻機(jī)是芯片制造的魂,蝕刻機(jī)是芯片制造的魄,要想制造的芯片,這兩個(gè)東西都必須。    這倆機(jī)器zui簡(jiǎn)單的解釋就是光刻機(jī)把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面,刻蝕機(jī)再把剛才畫了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉,這樣看起來(lái)似乎沒什么難的,但是有一個(gè)形象的比喻,每一塊芯片上面的電路結(jié)構(gòu)放大無(wú)數(shù)倍來(lái)看比整個(gè)北京都復(fù)雜,鄭州噴淋蝕刻機(jī)金屬上刻字,這就是這光刻和蝕刻的難度。    光刻的過程就是現(xiàn)在制作好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種可以被光腐蝕的膠狀物質(zhì)),接下來(lái)通過光線(工藝難度紫外光<深紫外光<極紫外光)透過掩膜照射到硅圓表面(類似投影),因?yàn)楣饪棠z的覆蓋,照射到的部分被腐蝕掉,沒有光照的部分被留下來(lái),這部分便是需要的電路結(jié)構(gòu)。    蝕刻分為兩種,一種是干刻,一種是濕刻(目前主流),顧名思義,鋁板噴淋蝕刻機(jī)金屬上刻字,濕刻就是過程中有水加入,將上面經(jīng)過光刻的晶圓與特定的化學(xué)溶液反應(yīng),去掉不需要的部分,剩下的便是電路結(jié)構(gòu)了,干刻目前還沒有實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn),其原理是通過等離子體代替化學(xué)溶液,去除不需要的硅圓部分。






堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形制作,這種蝕刻方法在線路板制作中應(yīng)用非常廣泛,特別是圖形電鍍,這是較好的蝕刻方法之一。同時(shí)堿性蝕刻速度快,側(cè)蝕刻小,溶銅量大,大功率噴淋蝕刻機(jī)金屬上刻字,蝕刻液可以再生連續(xù)使用。

堿性CuCl2蝕刻液主要是由CuCl2和NH3-H2O組成,鈦金噴淋蝕刻機(jī)金屬上刻字,在CuCl2溶液中加入NH3-H2O會(huì)發(fā)生如下絡(luò)合反應(yīng):CuCl2 4NH3-H2O=[Cu(NH3)4]Cl2 4H2O,在蝕刻機(jī)藥箱內(nèi),銅被[Cu(NH3)4]2 絡(luò)離子氧化成Cu 。其氧化反應(yīng)如下:[Cu(NH3)4]Cl2 Cu=2[Cu(NH3)2]Cl。生成的[Cu(NH3)2] 為Cu 的絡(luò)離子,不具有氧化能力,在有過量NH3-H2O和Cl-存在的前提下,能很快被空氣中的氧氣所氧化,生產(chǎn)具有蝕刻能力的[Cu(NH3)4]2 。其絡(luò)離子再生反應(yīng)如下:

2[Cu(NH3)2]Cl 2NH4Cl 2NH3-H2O 1/2O2=2[Cu(NH3)4]Cl2 2H2O。

從上面的化學(xué)方程式可以看出,在蝕刻機(jī)工作過程中,每腐蝕1mol銅需要消耗2mol NH3-H2O和2mol NH4Cl。因此在腐蝕機(jī)蝕刻過程中,隨著銅的溶解,應(yīng)不斷補(bǔ)充NH3-H2O和NH4Cl。






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