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3.1 恒流工作模式控制電路

典型的MOSFET有3個工作區(qū)，即截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。當MOSFET工作于線性區(qū)時，通過控制其柵源極之間電壓VGS可實現(xiàn)對其流過電流Id的控制，終控制其等效阻抗，從而對電源的輸出性能測試。其子控制電路如圖2所示，選用低溫漂采樣電阻采集電流信號，再將該電流信號差分放大接入運放U1A 反向輸入端，U1A將電流信號和同向輸入端的控制信號作比較運算，控制MOSFET柵極電壓，實現(xiàn)對MOSFET等效阻抗的控制。

4，  焰熔法晶塊料。   

晶塊料普遍使用維爾納葉爐焰熔法Verneuil進行生產(chǎn)，經(jīng)過振動篩將高純氧化體慢慢從爐頂篩下，當氧化末在通過高溫的氫氧火焰后熔化，熔滴在下落過程中冷卻并在種晶上固結逐漸生長形成晶體。   

晶塊料是白色半透明狀的，回收測試不良電池片硅片多少錢，國內現(xiàn)在很多人士尤其是迷戀它，看上去透明無色以為純度很高，其實純度也就3個9. 但它的純度也值得我們去考究。   

生產(chǎn)過程中氫氣需要通過不銹鋼管道進入到爐體，不銹鋼管道的鐵、鎳、鉻、鈦等金屬離子和其他的金屬雜質會隨著氫氣吹到氧化鋁熔融的晶體內。氧化鋁的熔化溫度是2050度，F(xiàn)e，Ti，Cr，Mg等元素的熔化溫度已經(jīng)在2200度左右，這些技術雜質氣化溫度要到達4000度以上，這些金屬雜質或者金屬氧化物2050度根本不會氣化，他們全部都留在晶體內部。氫氧焰只能吹走表面少量較輕的雜質，如鎂，鈣等，但對里層的雜質毫無作用。

硅片的定義　　

硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。科學技術的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。自動化和計算機等技術發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術產(chǎn)品的造價已降到十分低廉的程度。

硅片的規(guī)格　　

硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑、單晶生長方法、摻雜類型等參量和用途來劃分種類。