小型微弧氧化電源-微弧氧化電源-日照微弧氧化生產(chǎn)線(查看)

微弧氧化設(shè)備

      微弧氧化設(shè)備有熱交換和制冷設(shè)備。由于微弧氧化過程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，微弧氧化電源，使電解液及時(shí)冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行?？蓪㈦娊庖翰捎醚h(huán)對(duì)流冷卻的方式進(jìn)行，既能控制溶液溫度，又達(dá)到了攪拌電解液的目的。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化

       微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，原位生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在，因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，實(shí)驗(yàn)微弧氧化電源，至今還沒有一個(gè)合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。

      由于微弧氧化是在陽(yáng)極氧化膜被電ji穿的基礎(chǔ)上進(jìn)行的，所以在探討微弧氧化機(jī)理時(shí)我們要結(jié)合電ji穿理論的研究和發(fā)展，從而闡述微弧氧化基本原理。微弧氧化技術(shù)就是在電ji穿理論的基礎(chǔ)上加以研究和應(yīng)用的新型表面力一技術(shù)。自1932年Betz等觀察到電ji穿的現(xiàn)象以來，鈦合金微弧氧化電源，許多研究者都對(duì)電ji穿產(chǎn)生的原因 過各種各樣的假設(shè)和模型?？傮w上看，電ji穿理論經(jīng)歷了離子電流機(jī)理、熱作用機(jī)理、機(jī)械作用機(jī)理以及電子雪崩機(jī)理等不同的發(fā)展階段。了解電ji穿原理，對(duì)于研究微弧氧化機(jī)理，開發(fā)新的表面處理技術(shù)均有著重要的理論意義。

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