陶瓷電容器有哪些品牌-四川華瓷MLC技術(shù)社區(qū)-陶瓷電容器

片式多層陶瓷電容器（MLCC）行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

    片式多層陶瓷電容器（MLCC）行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

縱觀成條MLCC全產(chǎn)業(yè)鏈，陶瓷電容器購(gòu)買，上下游為原料生產(chǎn)制造階段，包括兩大類關(guān)鍵原料，一類是瓷器粉，陶瓷顆粒料關(guān)鍵原材料是鈦酸鋇、氧化鈦、鈦酸鎂等。另一類是組成內(nèi)電極與外電極的鎳、銅等金屬材料粉體設(shè)備原材料；中上游為MLCC生產(chǎn)制造階段，關(guān)鍵聚集在日本、韓、臺(tái)灣和我國(guó)別的地域；中下游關(guān)鍵受智能化系統(tǒng)通訊產(chǎn)品的推廣與升級(jí)、新能源車和無(wú)人駕駛技術(shù)等產(chǎn)生的車輛數(shù)字電子化水準(zhǔn)的提升、5G通訊的宣傳和工控自動(dòng)化逐步推進(jìn)等終端設(shè)備要求推動(dòng)?，F(xiàn)階段，MLCC持續(xù)在向薄層化、小型化、大空間化和成本低方位發(fā)展趨勢(shì)。

在以上發(fā)展趨勢(shì)歷程中，內(nèi)電極材料的未來(lái)發(fā)展尤為重要，它不僅僅影響到薄層化、小型化，并且與MLCC的成本費(fèi)息息相關(guān)。初期的MLCC內(nèi)電極材料為鈀-銀鋁合金或純金屬鈀，這類電極材料成本費(fèi)較高，選用賤金屬替代貴重金屬，可以大幅度降低成本費(fèi)。常見(jiàn)的賤金屬內(nèi)電極材料為鎳粉，陶瓷電容器，其具備低成本、導(dǎo)電率高、電擴(kuò)散系數(shù)小、對(duì)焊接材料的耐腐蝕性和耐溫性好、煅燒溫度較高的特性，而且與瓷器物質(zhì)資料的高溫共燒性不錯(cuò)。

MLCC的薄層化、小型化、大空間化和成本低發(fā)展趨勢(shì)規(guī)定電極料漿常用的金屬材料鎳粉純凈度高、粉體設(shè)備顆粒物近球型、粒度小及分散性好等特點(diǎn)。

片式陶瓷電容器加工-片式陶瓷電容器-四川華瓷MLCC

電容器檢測(cè)-脫離線路時(shí)檢測(cè)，四川華瓷MLCC陶瓷電容器

電容器檢測(cè)

脫離線路時(shí)檢測(cè)

采用萬(wàn)用表Ｒ&TImes;１ｋ擋，在檢測(cè)前，先將電解電容的兩根引腳相碰，以便放掉電容內(nèi)殘余的電荷。當(dāng)表筆剛接通時(shí)，表針向右偏轉(zhuǎn)一個(gè)角度，然后表針緩慢地向左回轉(zhuǎn)，后表針停下。表針停下來(lái)所指示的阻值為該電容的漏電電阻，此阻值愈大愈好，應(yīng)接近無(wú)窮大處。如果漏電電阻只有幾十千歐，說(shuō)明這一電解電容漏電嚴(yán)重。表針向右擺動(dòng)的角度越大（表針還應(yīng)該向左回?cái)[），說(shuō)明這一電解電容的電容量也越大，反之說(shuō)明容量越小。

片式陶瓷電容器加工-片式陶瓷電容器-四川華瓷MLCC

MLCC是旋片雙層陶瓷電容英文簡(jiǎn)寫(xiě)。是由印好電極（內(nèi)電極）的瓷器物質(zhì)脈沖阻尼器以移位的方法疊合起來(lái)，通過(guò)一次性高溫煅燒產(chǎn)生瓷器處理芯片，再在芯片的兩邊封上金屬材料層（外電極），陶瓷電容器有哪些品牌，進(jìn)而產(chǎn)生一個(gè)相近獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器?；驹恚河捎『秒姌O（內(nèi)電極）的瓷器物質(zhì)脈沖阻尼器以移位的方法疊合起來(lái)，通過(guò)一次性高溫煅燒產(chǎn)生瓷器處理芯片，陶瓷電容器哪個(gè)牌子好，再在芯片的兩邊封上金屬材料層（外電極），以達(dá)到需要的電容值以及他主要參數(shù)特性。 

歸類：依照溫度特性、材料、生產(chǎn)工藝流程。MLCC可以分為以下幾類：NP0、C0G、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。NP0、C0G溫度特性穩(wěn)定、容值小、價(jià)錢(qián)高；Y5V、Z5U溫度特性大、容值大、價(jià)格便宜；X7R、X5R則處于以上二種中間。按原材料SIZE尺寸來(lái)分。大概可以分成3225、3216、2012、1608、1005、0603、0402標(biāo)值越大。

尺寸就更寬更厚。常見(jiàn)的較多為3225少為0402。在便攜式產(chǎn)品中普遍使用的旋片雙層陶瓷電容(MLCC)原材料依據(jù)溫度特性，關(guān)鍵可分成兩類：BME化的C0G產(chǎn)品和LOWESR組材的X7R(X5R)產(chǎn)品。C0G類MLCC的容積多在1000pF下列，此類電力電容器低功耗涉及到的關(guān)鍵性能參數(shù)是耗損角正切值tanδ(DF)。

傳統(tǒng)式的貴重金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范疇是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)性技術(shù)創(chuàng)新堿土金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范疇為(1.0～2.5)×10-4，約是兩者的(31～50)%。此類產(chǎn)品在乘載T/R控制模塊控制電路的GSM、CDMA、無(wú)線電話、手機(jī)藍(lán)牙、GPS系統(tǒng)中低功耗特性比較明顯。 

X7R(X5R)類MLCC的容積關(guān)鍵聚集在1000pF以上，此類電力電容器低功耗關(guān)鍵涉及到的性能參數(shù)是等效電路串聯(lián)電阻(ESR)。

片式陶瓷電容器-四川華瓷MLCC

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