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迪一電子物料長(zhǎng)期現(xiàn)貨-超高壓瓷介電容15KV

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發(fā)布時(shí)間:2022-01-10 05:07  






同方迪一分享高壓陶瓷電容和高壓瓷片電容的特點(diǎn)對(duì)比

堅(jiān)信大伙兒是不是非常容易搞混高壓陶瓷電容和高壓高壓瓷片電容2個(gè)的定義,文中便是要為大伙兒理清這二種電子器件的差別,特性及其應(yīng)用留意等。

高壓陶瓷電容的特性:

1.不用驗(yàn)證

2.超高壓能夠 做到7KV在越高越少見了,

3.打印出方法和Y電容比無需把各國(guó)驗(yàn)證打在商品表層,

4.電壓*少能夠 到16V

5.抗壓*大2.5倍一般生產(chǎn)制造是1.5倍的規(guī)范測(cè)

A型原材料的溝通交流穿透電壓特性外邊用環(huán)氧樹脂膠壓模包裹的陶瓷電容器的穿透電壓廠。與空隙長(zhǎng)G(圓片半經(jīng)與電級(jí)半經(jīng)之差)的關(guān)聯(lián)。電力電容器的直徑為20mm,原材料相對(duì)介電常數(shù)為1460‘下稱A材),電級(jí)為銀電級(jí)。實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為25℃,釋放50Hz交流電壓,超高壓瓷介電容15KV,電壓上升幅度為ZkV/s。

高壓瓷片電容特性:

1.常見于高壓場(chǎng)所

2.陶瓷有I類瓷,II類瓷,III類瓷之分,

3.I類瓷,NP0,溫度特性,頻率特性和電壓特性佳,因相對(duì)介電常數(shù)不高,因此容積做并不大

4.II類瓷,X7R其次,溫度特性和電壓特性不錯(cuò)

5.III類瓷,相對(duì)介電常數(shù)高,因此 容積能夠做非常大,但溫度特性和電壓特性不大好。

6.瓷片電容器一般體積不大

此外,再注重一個(gè)關(guān)鍵特性:瓷介電力電容器穿透后,湛江瓷介電容15KV,通常呈短路故障情況。(它是它的缺點(diǎn))而薄膜電容器無效后,一般呈引路情況。

高壓瓷片電容和高壓陶瓷電容功能基本上是一樣的,一些細(xì)節(jié)會(huì)有些不同。所以在使用的時(shí)候也要注意到性能方面。








同方迪一介紹識(shí)別高頻瓷片電容規(guī)格的詳細(xì)方法

1000V-6000V高頻瓷片電容

高頻瓷片電容一般主要都是運(yùn)用于較高穩(wěn)定振蕩的回路中,因此其在穩(wěn)定性方面要求是比較高的,如比較常見的耦合電容以及高壓旁路就會(huì)選擇用高頻瓷片電容。非常主要的優(yōu)點(diǎn)就是可以耐受高溫以及耐磨性比較強(qiáng),如日常生活中常見的電視上的接收機(jī)上就會(huì)使用高壓瓷片電容。

快速識(shí)別方法

一般來說在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容,因?yàn)槠淙萘繒?huì)比較大,通過金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中,其容量的特性決定了使用電解電容的效果會(huì)比較好,但在使用的過程中還要注意抑制高頻阻抗不斷上升的情況。






同方迪一解析瓷片電容的ESR


電源的設(shè)計(jì)是決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本,很多時(shí)候大家都會(huì)忽略這個(gè)點(diǎn)。本文小編跟大家淺談瓷片的ESR。電容的參數(shù)是有很多的,在設(shè)計(jì)中C和ESR是很重要的,

C代表:電容容值。一般是指在1kHz,超高壓瓷介電容15KV,1V 等效AC電壓,直流偏壓為0V情況下測(cè)到的,也可有很多電容測(cè)量的環(huán)境不同。但有一點(diǎn)需注意,電容值C本身是會(huì)隨環(huán)境發(fā)生改變的。

ESR指的是電容等效串聯(lián)電阻。無論哪種電容都會(huì)有一個(gè)等效串聯(lián)電阻,當(dāng)電容工作在諧振點(diǎn)頻率時(shí),電容的容抗和感抗大小相等,于是等效成一個(gè)電阻,這個(gè)電阻就是ESR。因電容結(jié)構(gòu)不同而有很大差異。鋁電解電容ESR一般由幾百毫歐到幾歐,瓷片電容一般為幾十毫歐,鉭電容介于鋁電解電容和瓷片電容之間。

瓷片電容存放電靠的是物理反應(yīng),因而具有很高的響應(yīng)速度,可以應(yīng)用到上G的場(chǎng)合。不過,超高壓瓷介電容15KV,瓷片電容因?yàn)榻橘|(zhì)不同,也呈現(xiàn)很大的差異。性能C0G材質(zhì)的電容,溫度系數(shù)小,不過材質(zhì)介電常數(shù)小,所以一般來說容值不可能做太大。性能Z5U/Y5V材質(zhì),這種材質(zhì)介電常數(shù)大,容值能做到幾十微法。瓷片電容可以用作退耦電容,退耦電容需要滿足兩個(gè)要求,一個(gè)是容量需求,另一個(gè)是ESR需求。






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