同創(chuàng)芯現(xiàn)貨-蘇州ST/意法半導(dǎo)體庫(kù)存充足

集成電路的特點(diǎn)

IC 基板需要具有能夠與集成電路的特性相匹配的特定特性。電子工程師和設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì) IC 時(shí)必須了解集成電路的屬性才能選擇佳的 IC 基板。那么這些關(guān)鍵的 IC 特性有哪些呢？

小電路。集成電路通常是小型化的，因此設(shè)計(jì)、安裝和調(diào)試過(guò)程需要證明統(tǒng)一和簡(jiǎn)單。

成本效益。與其分立元件相比，所有集成電路通常表現(xiàn)出更高的性能和相對(duì)較低的成本。

可靠性。集成電路變得非?？煽?，因?yàn)槎嗄陙?lái)許多工作提高了它們的可靠性，特別是在它們的性能和一致性方面。集成電路中的焊點(diǎn)顯著減少。此外，LMZ10503TZ-ADJST/意法半導(dǎo)體庫(kù)存充足，還減少了對(duì)虛擬焊接的需求，使 IC 更加可靠。

故障率低。與普通電路相比，集成電路具有較低的故障率。

。集成電路也是節(jié)能的，因?yàn)樗鼈兿母俚哪芰炕蚬β?，體積更小，價(jià)格更低。

這些屬性也兼作集成電路的一些重要的好處。然而，它并不止于此。還應(yīng)考慮 IC 基板特性，尤其是在設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品的 IC 時(shí)。    

IC基板的屬性

集成電路具有許多不同的特征。它包括以下內(nèi)容。

重量輕

更少的引線和焊點(diǎn)

高度可靠

將可靠性、耐用性和重量等其他屬性考慮在內(nèi)時(shí)提

小尺寸

半導(dǎo)體是如何工作？

半導(dǎo)體對(duì)我們的社會(huì)產(chǎn)生了巨大的影響。您會(huì)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體是微處理器芯片和晶體管的。任何計(jì)算機(jī)化或使用無(wú)線電波的東西都依賴于半導(dǎo)體。

今天，大多數(shù)半導(dǎo)體芯片和晶體管都是用硅制造的。您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)諸如“硅谷”和“硅經(jīng)濟(jì)”之類的表述，這就是為什么——硅是任何電子設(shè)備的。

一個(gè)二極管可能是的半導(dǎo)體器件，因此是一個(gè)很好的起點(diǎn)，如果你想了解半導(dǎo)體是如何工作的。在本文中，您將了解什么是半導(dǎo)體、摻雜的工作原理以及如何使用半導(dǎo)體制造二極管。

碳、硅和鍺（鍺和硅一樣，也是一種半導(dǎo)體）在其電子結(jié)構(gòu)中具有的性質(zhì)——每一種在其外軌道上都有四個(gè)電子。這使它們能夠形成漂亮的晶體。四個(gè)電子與四個(gè)相鄰的原子形成的共價(jià)鍵，形成一個(gè)晶格。在碳中，我們知道晶體形式為金剛石。在硅中，晶體形式是一種銀色的、金屬外觀的物質(zhì)。在硅晶格中，所有硅原子都與四個(gè)相鄰的硅原子結(jié)合，沒(méi)有自由電子來(lái)傳導(dǎo)電流。這使得硅晶體成為絕緣體而不是導(dǎo)體。金屬往往是電的良導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兺ǔ＞哂锌梢栽谠又g輕松移動(dòng)的“自由電子”，而電涉及電子的流動(dòng)。雖然硅晶體看起來(lái)是金屬的，但實(shí)際上它們不是金屬。硅晶體中的所有外層電子都包含在的共價(jià)鍵中，因此它們不能四處移動(dòng)。純硅晶體幾乎是絕緣體——很少有電流流過(guò)它。

逆變器和光伏系統(tǒng)的性能要求使WBG器件應(yīng)用成為

自從寬帶隙 （WBG） 器件誕生以來(lái)，CC2642R1TWFRTCRQ1ST/意法半導(dǎo)體庫(kù)存充足，為功率變換應(yīng)用帶來(lái)了一股令人激動(dòng)的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) （FoM） 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開(kāi)關(guān)機(jī)理等方面的進(jìn)步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。工程師堅(jiān)持繼續(xù)使用硅片的常見(jiàn)原因可能是在這方面擁有豐富的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。然而，在某些情況下，下一代電源、逆變器和光伏系統(tǒng)的性能要求使WBG器件應(yīng)用成為。

在中壓應(yīng)用中，英飛凌的 OptiMOS 能夠提供業(yè)界更佳的品質(zhì)因數(shù)。開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、逆變器和電池供電馬達(dá)等需要100～200V MOSFET 的應(yīng)用已經(jīng)在使用這些高頻優(yōu)化器件。然而，隨著人工智能 （AI） 協(xié)處理器等需要巨大電流的邊緣運(yùn)算應(yīng)用越來(lái)越廣泛，對(duì)提升電源供電效率和瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)能力提出了要求。CoolGaN可提供明顯優(yōu)于任何同類中壓硅器件的 FoM以及零反向恢復(fù)電荷，這使其成為半橋電路的選擇。由于其晶體平面生長(zhǎng)特性，使封裝能夠?qū)崿F(xiàn)采用頂部散熱的創(chuàng)新機(jī)制。在 54V 輸入/12V 輸出的變換器中，基于 CoolGaN 的設(shè)計(jì)可提供 15A 電流，在500 kHz 開(kāi)關(guān)頻率時(shí)達(dá)到超過(guò) 96.5% 的峰值效率。這比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz開(kāi)關(guān)頻率下效率提高了1%。

總體而言，CoolGaN 和 CoolSiC 都能夠提供更好的 FoM，并且可實(shí)現(xiàn)比同類硅器件更高的效率。但是，這些并不是需要考慮的因素，價(jià)格同樣很重要，蘇州ST/意法半導(dǎo)體庫(kù)存充足，采用新技術(shù)帶來(lái)的相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驅(qū)動(dòng)和工作特性，為了充分發(fā)揮這些技術(shù)的潛力，可能還需要新的拓?fù)浼軜?gòu)或控制技術(shù)。

同創(chuàng)芯現(xiàn)貨-蘇州ST/意法半導(dǎo)體庫(kù)存充足由廣州同創(chuàng)芯電子有限公司提供。廣州同創(chuàng)芯電子有限公司在集成電路這一領(lǐng)域傾注了諸多的熱忱和熱情，同創(chuàng)芯一直以客戶為中心、為客戶創(chuàng)造價(jià)值的理念、以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，衷心希望能與社會(huì)各界合作，共創(chuàng)成功，共創(chuàng)輝煌。相關(guān)業(yè)務(wù)歡迎垂詢，聯(lián)系人：盧順財(cái)。