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西晉時張華（232—300）撰寫的《博物志》中有這樣的記載：“今人梳頭、脫著衣時，有隨梳、解結有光者，也有咤聲。”意思是說梳頭、穿衣服時，常發(fā)生摩擦起電，有時還能看到小火星和聽到微弱的響聲。古希臘是西方電磁學的發(fā)源地。在古希臘的文獻中記載了一些電磁現(xiàn)象。柏拉圖(前427—前347)曾提到“關于琥珀和磁石的吸引是觀察到的奇事”。表明公元三百多年古希臘人就發(fā)現(xiàn)了琥珀吸引小物體的現(xiàn)象。

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首先在器件和產品的設計中，應充分體現(xiàn)靜電防護的思想，在器件內部設置靜電防護元件(ESD Protection Device)，盡量使用對靜電不敏感的器件以及對所使用的靜電放電敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供適當?shù)妮斎氡Ｗo，使其更合理地避免ESD的傷害。MOS工藝是集成電路制造的主導技術, 以金屬－氧化物－半導體場效應管為基本構造元件。由于MOS器件中場效應管的柵、源極之間是一層亞微米級的絕緣柵氧化層，故其輸入阻抗通常大于1000M ，并且具有5pF左右的輸入電容，極易受到靜電的損害。因此，在MOS器件的輸入級中均設置了電阻-二極管防護網絡，串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流, 二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器件內常見的防護元件還有：電容、雙極晶體管、可控硅整流器（SCR，見圖1）等, ESD發(fā)生時，它們在受保護器件之前迅速作出反應，將ESD的能量吸收、釋放，使被保護器件所受沖擊大為降低。正常情況下，防護元件在其一次崩潰(First Breakdown)區(qū)內工作，不會受到ESD損傷，一旦外加電壓或電流過量(Overstress)，進入二次崩潰(Secondary Breakdown)區(qū)的防護元件將受到不可逆轉的損害，失去對器件的保護作用。

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國內外潔凈技術的發(fā)展都是隨著科學技術的發(fā)展和產品生產的更新?lián)Q代,特別是工業(yè)、電子、航天等工業(yè)的發(fā)展而不斷演進的。現(xiàn)代工業(yè)產品和現(xiàn)代科學實驗活動要求微型化、精密化、高純度、高質量和高可靠性。以微型化為例,電子計算機從當初放置在若干個房間內龐大的機組發(fā)展到今天的便攜式筆記本。與此同時,它內部所使用的電子元器件也從電子管到半導體分立器件,再到集成電路和極大規(guī)模集成電路;集成電路的線寬也已從幾微米發(fā)展到當今45納米。這些新科技產品要求具有嚴格的潔凈生產環(huán)境。潔凈技術便是根據(jù)產品生產對潔凈生產環(huán)境中污染物的控制要求、控制方法以及控制設施等日益嚴格的要求不斷發(fā)展而來的。