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沈陽(yáng)鵬程有限公司-進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家

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發(fā)布時(shí)間:2021-12-13 04:02  





等離子刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介

等離子刻蝕機(jī),又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,是干法刻蝕中比較常見(jiàn)的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí),會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來(lái)講,等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式,這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的,用戶可以移去架子來(lái)配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),直接等離子體(direction plasma)。

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ICP刻蝕機(jī)裝片介紹

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等離子體系統(tǒng)效應(yīng)的過(guò)程轉(zhuǎn)換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊,分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板,疊放整齊,用夾具夾緊,確保待刻蝕的硅片中間沒(méi)有大的縫隙。冷熱探針?lè)▽A具平穩(wěn)放入反應(yīng)室的支架上,關(guān)好反應(yīng)室的蓋子。等離子刻蝕檢驗(yàn)原理為冷熱探針?lè)?,具體方法如下:熱探針和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域,使得熱探針處電子缺少,因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言將是正的。同樣道理,P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。此電勢(shì)差可以用簡(jiǎn)單的微伏表測(cè)量。熱探針的結(jié)構(gòu)可以是將小的熱線圈繞在一個(gè)探針的周?chē)?,也可以用小型的電烙鐵。



ICP刻蝕機(jī)的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家,簡(jiǎn)稱(chēng)ICPE)是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。

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