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ASEMI原裝 20N10 插件MOSFET(場效應管)
型號:20N10
封裝:TO-220AB
漏極電流(VDS):20A
漏源電壓(ID):100V
工作溫度:-55℃~150℃
封裝形式:插件
種類:場效應晶體管/MOSFET/MOS管
品牌:ASEMI
首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極,9N90插件場效應管,一個是金屬,插件場效應管,另一個是extrinsic silicon(外在硅),他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。
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ASEMI品牌 25N120 MOS場效應晶體管 插件封裝 MOSFET
型號:25N120
封裝:TO-247/3P
漏極電流(VDS):25A
漏源電壓(ID):1200V
工作溫度:-55℃~150℃
種類:場效應晶體管/MOSFET
品牌:ASEMI
市面上常有的一般為N溝道和P溝道,24N50插件場效應管,詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。編輯:L
ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V
型號:A29T / 3402
封裝:SOT-23
漏極電流(VDS):4A
漏源電壓(ID):30V
工作溫度:-55℃~150℃
封裝形式:貼片
種類:場效應晶體管(MOSFET/MOS管)
品牌:ASEMI
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
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