200度晶體管芯片-晶體管-北京啟爾特(查看)

175度高溫場效應(yīng)管

北京啟爾特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高溫晶體管，具有體積小，150度晶體管芯片，電壓范圍大，結(jié)實可靠，可耐高溫，常用型號有2N2222A等，適用于石油測井勘探及其他科研領(lǐng)域。

型號命名有兩種命名方法。

一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型P溝道場效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。

第二種命名方法是CS××#，CS代表場效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

175度MOS管

北京啟爾特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高溫晶體管，具有體積小，電壓范圍大，200度晶體管芯片，結(jié)實可靠，可耐高溫，常用型號有2N2222A等，適用于石油測井勘探及其他科研領(lǐng)域。

MOS管一般又叫場效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過正向電流，175度晶體管芯片，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的，MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的，容易驅(qū)動，但是價格比三極管要高。

275度達林頓晶體管

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單電子晶體管

用一個或者少量電子就能記錄信號的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)和工藝的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來越高。以動態(tài)隨機存儲器(DRAM)為例，它的集成度差不多以每兩年增加四倍的速度發(fā)展，晶體管，預(yù)計單電子晶體管將是終的目標。目前一般的存儲器每個存儲元包含了20萬個電子，而單電子晶體管每個存儲元只包含了一個或少量電子，因此它將大大降低功耗，提高集成電路的集成度。為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使點的尺寸小于10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當(dāng)?shù)木嚯x。

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