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電池片的檢驗
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗板,負(fù)債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。
報廢片:
超過缺點片的規(guī)定常出現(xiàn)的印刷圖型出現(xiàn)異常的緣故表明
1、電級掉下來(疊片):硅片與料漿沒產(chǎn)生充足的鋁合金層換句話說沒有產(chǎn)生好的觸碰。
2、斷開:有物品粘在鋼網(wǎng)上,導(dǎo)致堵網(wǎng)。解決方案:擦洗鋼網(wǎng),擦洗堵網(wǎng)地區(qū)。
3、跑模:鋼網(wǎng)有系統(tǒng)漏洞解決方案:較小且沒有細(xì)柵線上線下用封網(wǎng)漿將小圓孔封死就能。很大時務(wù)必要拆換鋼網(wǎng)。另留意跑模干萬不可以漏在反面電級,那樣會使RSH(并聯(lián)電阻)過低。
4、粗點:鋼網(wǎng)損傷,刮條不整平解決方案:換鋼網(wǎng),換刮條。
5、虛印:有時候會因為原料緣故造成如:據(jù)痕、薄厚不勻。其次跟刮條和鋼網(wǎng)也是關(guān)聯(lián)。解決方案:換鋼網(wǎng)或換刮條。
電池片的制作工藝
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,避免 PN 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng), 采用高頻輝光放電反應(yīng),使反應(yīng)氣體激活成活性粒子,如原子或各種游離基,這些活性粒子擴散到硅片邊緣,在那里與硅進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。
化學(xué)公式: CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工藝流程
預(yù)抽,主抽,送氣,輝光,抽空,清洗,預(yù)抽,主抽 ,充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)(耗盡層)造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。
射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。
2. 時間
刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。
刻蝕時間過短:刻蝕不充分,沒有把邊緣鱗去干凈, PN 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。
4. 壓力
壓力越大,氣體含量越少,參與反應(yīng)的氣體也越多,刻蝕也越充份。
太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)
3、界定
3.1鈍性豁口豁口樣子展現(xiàn)為沿邊沿輕緩銜接,并不是向管理中心深層次的情況。
3.2V形豁口豁口樣子展現(xiàn)為向管理中心銳利深層次的樣子,相近英文字母“V”。
4、規(guī)定
4.1設(shè)計方案和構(gòu)造4.1.1PCB原材料充電電池的PCB原材料就是指單晶硅片或多晶硅片,應(yīng)合乎有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。
4.1.2電級
4.1.2.1電級圖型詳細(xì)電級圖型規(guī)格及樣子應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。4.1.2.2電級應(yīng)無掉色狀況(如硫化橡膠造成的掉色)。4.1.2.3電級的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.2.4電級的可焊性應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.3鋁背場4.1.3.1選用鋁背場總體設(shè)計的充電電池,因為反面鋁膜造成的充電電池彎折形變應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.3.2反面鋁膜與PCB原材料的粘附抗壓強度應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.3.3反面鋁膜的突起高寬比應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)要求。鋁膜圖型詳細(xì),圖型偏移應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.3.4反面鋁膜的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。
4.1.4減反射膜選用減反射膜設(shè)計方案構(gòu)造的充電電池,減反射膜與PCB原材料的粘附抗壓強度選用5.1.4要求的方式 開展檢驗后,減反射膜不掉下來。
4.1.5規(guī)格表1和表2要求了典型性充電電池的規(guī)格規(guī)定,別的充電電池的規(guī)格規(guī)格型號規(guī)定應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。