開(kāi)關(guān)柜局部放電在線監(jiān)測(cè)終端多重優(yōu)惠 魯科數(shù)據(jù)科技有限公司

數(shù)據(jù)采集

數(shù)據(jù)采集(DAQ)，又稱(chēng)數(shù)據(jù)獲取，是指從傳感器和其它待測(cè)設(shè)備等模擬和數(shù)字被測(cè)單元中自動(dòng)采集非電量或者電量信號(hào),送到上位機(jī)中進(jìn)行分析，處理。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)是結(jié)合基于計(jì)算機(jī)或者其他測(cè)試平臺(tái)的測(cè)量軟硬件產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)靈活的、用戶(hù)自定義的測(cè)量系統(tǒng)。采集一般是采樣方式，即隔一定時(shí)間（稱(chēng)采樣周期）對(duì)同一點(diǎn)數(shù)據(jù)重復(fù)采集。采集的數(shù)據(jù)大多是瞬時(shí)值，也可是某段時(shí)間內(nèi)的一個(gè)特征值。

電流數(shù)據(jù)采集

選擇數(shù)據(jù)采集器還應(yīng)注意容量和速度因素　　每當(dāng)使用數(shù)據(jù)采集器的時(shí)候，會(huì)碰到所要采集的數(shù)據(jù)多少的問(wèn)題，如果數(shù)據(jù)量大，則需要選擇大容量的、其實(shí)是處理的速度。由于數(shù)字電路技術(shù)的不斷研發(fā)，在采集器主要結(jié)構(gòu)中，CPU一般是采用十六或三十二位的處理器，而位數(shù)和主頻越高，采集器對(duì)數(shù)據(jù)的采集和處理能力、速度則越強(qiáng)要，工作效率越高。內(nèi)存上則大部分使用的是FLASH-ROM RAM型，能夠在持久的不供電情況下保留信息，而且較快的讀寫(xiě)速度保證了操作的，內(nèi)存容量的增大使數(shù)據(jù)一次性處理增快?！　∮绕涫菙?shù)據(jù)量比較大的時(shí)候，容量和運(yùn)行速度是事先都要預(yù)算好的。

電流數(shù)據(jù)采集背景

對(duì)于一些建廠比較早的電鍍廠，設(shè)備出現(xiàn)了老化，電鍍時(shí)電流會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定。為了提高目前的電鍍質(zhì)量它們要做的是及時(shí)維護(hù)出現(xiàn)問(wèn)題的電鍍槽，但是整個(gè)電鍍過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)幾十個(gè)甚至幾百個(gè)電鍍槽，從表面上根本看不出哪個(gè)電鍍槽出現(xiàn)問(wèn)題，因此他們需要實(shí)時(shí)監(jiān)控每個(gè)電鍍槽的電流情況。所述采集裝置包括與電鍍槽相連的電流采集裝置、與所述電流采集裝置相連的芯片模塊，芯片模塊上設(shè)置有MCU處理器、與所述MCU處理器相連的AD轉(zhuǎn)換模塊和RFID射頻卡讀取模塊，所述AD轉(zhuǎn)換模塊與所述電流采集裝置相連，所述MCU處理器與電源模塊相連，所述RFID射頻卡讀取模塊用于讀取電鍍槽內(nèi)的IC卡數(shù)據(jù)。