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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。兩個輸出端能直接驅(qū)動電機的正反向運動，它具有較大的電流驅(qū)動能力，每通道能通過750~800mA的持續(xù)電流，峰值電流能力可達1。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。L9110被廣泛應(yīng)用于玩具汽車電機驅(qū)動、步進電機驅(qū)動和開關(guān)功率管等電路上。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

電流線性LED驅(qū)動Ic

LED 電流可通過專用引腳上的高奧姆電阻輕松調(diào)整，IC 供電電壓范圍介于 6 V 至 42 V 之間。無論在白場，還是在200、100、50級等灰度等級下，所測光源閃爍頻率均為200Hz。具備智能型過熱控制電路設(shè)計，可在溫度上升時保持恒定電流，提供安全可靠的運作效能，并延長 LED 系統(tǒng)壽命。此外，驅(qū)動器只會在接面溫度變得很高時降低 LED 電流。BCR431U 擁有可低達 1% 等級的調(diào)光亮度，對多種 LED 燈條設(shè)計極具吸引力。

瑞泰威驅(qū)動IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

?晶片購買價格

對芯片的采購，分為前期和后期兩個階段。

晶片采購前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項目電路方案評審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對項目的方案BOM表進行審核，并以此初步估算項目的成本。

晚些時候，是芯片的批量采購，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購價格。

晶片的終批量采購價格，一般是在前期工程師晶片采購價格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進行降價的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購的必要性。