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真空鍍膜應(yīng)用，簡(jiǎn)單地理解就是在真空環(huán)境下，利用蒸鍍、濺射以及隨后凝結(jié)的辦法，在金屬、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體以及塑料件等物體上鍍上金屬薄膜或者是覆蓋層。相對(duì)于傳統(tǒng)鍍膜方式，真空鍍膜應(yīng)用屬于一種干式鍍膜。真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，膜不易受到污染，因此，可獲得致密性好、純度高、膜層均勻的膜。

物理氣相沉積：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或?yàn)R射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說，真空鍍膜沒有障礙。

鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。

真空鍍膜的物理過程

基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：

鍍料的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源

鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

鍍料粒子在基片表面的沉積

真空鍍膜就是于真空室內(nèi)，采用一定方法使材料凝聚成膜的工藝。

在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低。

真空鍍膜設(shè)備普遍應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)，無(wú)論是小產(chǎn)品還是大產(chǎn)品、金屬制品還是塑膠制品、亦或者陶瓷、芯片、電路板、玻璃等產(chǎn)品，基本上所有需要進(jìn)行表面處理鍍膜的都需要用到。