山東低壓降肖特基二極管的行業(yè)須知「強元芯電子」

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了解了肖特基二極管的基本原理，那你知道肖特基勢壘二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的嗎？接下來就由ASEMI專業(yè)技術(shù)工程師為您解析這一問題。

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導體為基片，在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。

肖特基二極管的弱點和避免事項

肖特基二極體的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實務(wù)設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進步，其反向偏壓的額定值可以到200V。

ASEMI高壓SBD

長期以來，在輸出12V~24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中，只有選用200V~400V的FRED。設(shè)計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)