風(fēng)力發(fā)電用IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)承諾守信「華科智源」

測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V。因此，測量大電流情況下的各個模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us

2.3柵極電荷技術(shù)條件 測試參數(shù)： 柵極電荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 測試條件： 1、柵極驅(qū)動電壓：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集電極電流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅(qū)動電流：滿足5A以下測試要求