RR5光刻膠廠家量大從優(yōu)

光刻膠

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收專家組、財務驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數(shù)。據(jù)悉，經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。

NR77-15000P

9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。A可以考慮使用Futurrex，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。負膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O ,  O 活性基與膠反應CO2，CO， H2O, 光刻檢驗