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電子產(chǎn)品的靜電放電對策及改進(jìn)要點(diǎn)

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ESD通常發(fā)生在產(chǎn)物自身袒露在外的導(dǎo)電物體，大概發(fā)生在相近的導(dǎo)電物體上。

對裝備而言，容易產(chǎn)生靜電放電的部位是：

電纜，鍵盤及袒露在外的金屬框架以及裝備外殼上的孔，洞，縫隙等。

常用的改進(jìn)方法是在產(chǎn)物ESD發(fā)生或侵入傷害點(diǎn)，比方輸入點(diǎn)和地之間設(shè)置瞬態(tài)掩護(hù)電路，這些電路僅僅在ESD感應(yīng)電壓高出極限時(shí)發(fā)揮作用。

掩護(hù)電路可以包羅多個(gè)電流分流單元。

減小ESD產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）影響電子產(chǎn)品或設(shè)備的方法：

完全克制ESD產(chǎn)生的EMI耦合到電路或設(shè)備

以及通過籌劃工藝增長設(shè)備固有的ESD抗擾性。

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傳導(dǎo)抗擾度測試常見問題對策及整改措施

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射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾度測試要求

GB/T17626-2008(IEC61000-4-6.EN6100-4-6)《電磁兼容試驗(yàn)和丈量技能射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度》為電磁兼容根本尺度，產(chǎn)物的射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試一樣尋常按此中的試驗(yàn)方法舉行。

該項(xiàng)目標(biāo)測試方法是使受試裝備在騷擾源作用下形成的電場和磁場來模仿來自現(xiàn)實(shí)發(fā)射機(jī)的電場和磁場，這些騷擾場是由試驗(yàn)設(shè)置所產(chǎn)生的電壓或電流所形成的近區(qū)電場和磁場來近似表現(xiàn)的。

在實(shí)行測試時(shí)，有相對于參考接地平面（板）具有150Ω共模阻抗的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)來模擬這種干擾方式。

用耦合和去耦裝置提供騷擾信號給某一電纜，同時(shí)保持其他電纜不受影響，只近似于騷擾源與差別幅度和相位范圍同時(shí)作用于全部電纜的實(shí)際環(huán)境。

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傳導(dǎo)抗擾度測試常見題目對策及整改步伐

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傳導(dǎo)抗擾度試驗(yàn)失敗緣故因由分析如下： 

射頻干擾（RFI）傳輸途徑

GB/T17626中規(guī)定測試干擾注入方法有：

1.耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)注入，常用于電源線抗擾度試驗(yàn)，當(dāng)信號線數(shù)目較少時(shí)也常采??；

2.鉗（電流鉗或電磁耦合鉗）注入；特別實(shí)用于對多芯電纜試驗(yàn)；

3.直接注入:實(shí)用于同軸電纜的干擾注入。

對于屏蔽電纜和同軸電纜，干擾只注入到屏蔽層；對于非屏蔽電纜，干擾注入到電纜中每一芯線上。

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