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臥式磁控濺射鍍膜機

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)磁控濺射產(chǎn)品，歡迎新老客戶蒞臨。

主要用途：　　

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

系統(tǒng)組成:　　

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。公司生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,公司擁有強大的銷售團隊和經(jīng)營理念。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶，如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。

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磁控濺射鍍膜機導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級布置，保障鍍膜機腔體內(nèi)不同位置的進氣量相同，同時，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機的抽氣口。小型自動磁控濺射儀沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔?。需要穩(wěn)定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調(diào)整的磁場變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運行。