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導(dǎo)致靶面各單元的電阻值不同。電從原子中逃逸出來(lái),必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來(lái)的一種形式。與較亮像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較小，與較暗像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值，原來(lái)按照明暗分布的“光像”就變成了相應(yīng)的“電像”。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場(chǎng)作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用下按照掃描規(guī)律掃過(guò)靶面上的各個(gè)單元。當(dāng)電子束接觸到靶面某個(gè)單元時(shí)，使陰極、光電靶、負(fù)載電阻RL及電源E構(gòu)成一個(gè)回路。

半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái)，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有：利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件、利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。光照強(qiáng)處對(duì)應(yīng)阻值較小，流過(guò)負(fù)載RL的電流就較大，因而RL兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。一、 光電導(dǎo)器件半導(dǎo)體材料的光敏特性，即當(dāng)半導(dǎo)體材料受到一定波長(zhǎng)光線的照射時(shí),其電阻率明顯減小,或說(shuō)電導(dǎo)率增大的特性。這個(gè)現(xiàn)象也叫半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性。利用這個(gè)特性制作的半導(dǎo)體器件叫光電導(dǎo)器件。

制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化1鎘光敏電阻對(duì)可見(jiàn)光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對(duì)X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對(duì)紅線外線光敏感。半導(dǎo)體pn結(jié)區(qū)附近成為耗盡層，該層的兩側(cè)是相對(duì)高的空間電荷區(qū)，而耗盡層內(nèi)通常情況下并不存在電子和空穴。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測(cè)器。感光面積大的光敏電阻,可以獲得較大的明暗電阻差。如國(guó)產(chǎn)625-A型硫化1鎘光敏電阻,其光照電阻小于50千歐,暗電阻大于50兆歐。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個(gè)PN結(jié),只是結(jié)面積比普通二極管大,便于接收光線。

但和普通二極管不同,光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有0-1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對(duì)叫光生載流子，它們參加導(dǎo)電會(huì)增大反向飽和電流。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對(duì)叫光生載流子，它們參加導(dǎo)電會(huì)增大反向飽和電流。光生載流子的數(shù)量與光強(qiáng)度有關(guān)，因此，反向飽和電流會(huì)隨著光強(qiáng)的變化而變化，從而可以把光信號(hào)的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。光電二極管主要用于近紅外探測(cè)器及光電轉(zhuǎn)換的自動(dòng)控制儀器中，還可以作為光導(dǎo)纖維通信的接1收器件。