福田區(qū)不銹鋼面板腐蝕加工誠(chéng)信企業(yè)推薦「多圖」

廣州市茂美標(biāo)牌加工廠,座落于番禺區(qū)橋南街陳涌工業(yè)區(qū)，專注于腐蝕面板加工，腐蝕面板定制，機(jī)械控制面板定做，不銹鋼蝕刻面板加工，機(jī)械面板腐蝕定制，設(shè)備蝕刻面板加工，腐蝕機(jī)械面板定制，機(jī)箱設(shè)備面板定制、電子秤按鍵面板定做等，接單領(lǐng)域主要集中在廣州、深圳 、佛山 、東莞、中山、珠海、江門、肇慶、惠州等地，均可加工定制生產(chǎn)。產(chǎn)品還有腐蝕標(biāo)牌，不銹鋼直尺加工、鋁銘牌制作、不銹鋼銘牌制作、機(jī)械設(shè)備控制面板、亞克力標(biāo)牌等。制作工藝：UV印刷、噴漆、絲印、熱轉(zhuǎn)印、凹凸，沖壓、磨光、拉絲、電鍍、氧化、噴砂、激光、注塑、磨光、電鑄、腐蝕等一體化的大型專業(yè)標(biāo)牌加工制作廠。液體侵入的途徑也是必須考慮的重要腐蝕因素，許多設(shè)計(jì)缺陷直接導(dǎo)致液體的侵入，如口蓋的密封失效、通風(fēng)口的換氣操作、空調(diào)系統(tǒng)的冷熱調(diào)節(jié)、設(shè)備吸潮材料的影響、各位置的積水等。

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浸泡式（Dip，也有稱為“多片直立浸泡式”）設(shè)備構(gòu)造相對(duì)簡(jiǎn)單、單套建造成本較低。能滿足相對(duì)較多片產(chǎn)品的同時(shí)減薄。設(shè)備裝置體積相較大，外圍容易產(chǎn)生沉淀物和白色粉末。蝕刻液的鼓泡均勻情況不易控制。因此Plasma被用在半導(dǎo)體，LCD行業(yè)中Etching的工藝中，多用在硅和硅的化合物（SiNx、SiOx等）的蝕刻工藝，隨著設(shè)備的改進(jìn)，也可用于金屬鋁的蝕刻。注：浸泡式蝕刻減薄設(shè)備構(gòu)造等相關(guān)介紹，可參見《淺析LCD玻璃基板浸泡式蝕刻減薄系統(tǒng)的設(shè)備主要構(gòu)造和改進(jìn)》

噴淋式（Spray，也有稱為“側(cè)噴式”）

可以處理兩面不同蝕刻要求。蝕刻液可有效回收利用，相對(duì)成本較低。蝕刻產(chǎn)品表面易產(chǎn)生凹點(diǎn)（dimple），需要后續(xù)拋光處理。產(chǎn)品若未完全直立，由于壓力控制等原因，容易發(fā)生破片和蝕刻不均勻的現(xiàn)象。

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Dry etching（干蝕刻）將特定氣體置于低壓狀態(tài)下施以電壓，將其激發(fā)成各種不同的帶電荷離子、原子團(tuán)、分子以及電子（這種物質(zhì)狀態(tài)稱為Plasma）并利用這些解離后帶能量的反應(yīng)性的離子及原子團(tuán)，對(duì)特定層膜加以化學(xué)性的蝕刻及離子轟擊，達(dá)到膜層去除的一種蝕刻方式。我公司秉承追求最x高質(zhì)量、保持合理價(jià)格、提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)的經(jīng)營(yíng)理念，愿成為您最真摯的朋友和最可依賴的合作伙伴。

Dry etching中起作用的主要是radical和ion。Radical是電中性，因?yàn)榛瘜W(xué)性質(zhì)很活潑，所以和膜表面分子發(fā)生反應(yīng)，可達(dá)到膜層去除的作用。反應(yīng)生成物作為gas被排氣。

帶正電的ion被selfbias的負(fù)電位吸引幾乎垂直撞向基板，轟擊膜層表面的分子鍵合，促進(jìn)radical的化學(xué)反應(yīng)，并使表面產(chǎn)生的反應(yīng)物脫落。

廣州市茂美標(biāo)牌加工廠,座落于番禺區(qū)橋南街陳涌工業(yè)區(qū)，專注于腐蝕面板加工，腐蝕面板定制，機(jī)械控制面板定做，不銹鋼蝕刻面板加工，機(jī)械面板腐蝕定制，設(shè)備蝕刻面板加工，腐蝕機(jī)械面板定制，機(jī)箱設(shè)備面板定制、電子秤按鍵面板定做等，接單領(lǐng)域主要集中在廣州、深圳 、佛山 、東莞、中山、珠海、江門、肇慶、惠州等地，均可加工定制生產(chǎn)。產(chǎn)品還有腐蝕標(biāo)牌，不銹鋼直尺加工、鋁銘牌制作、不銹鋼銘牌制作、機(jī)械設(shè)備控制面板、亞克力標(biāo)牌等。制作工藝：UV印刷、噴漆、絲印、熱轉(zhuǎn)印、凹凸，沖壓、磨光、拉絲、電鍍、氧化、噴砂、激光、注塑、磨光、電鑄、腐蝕等一體化的大型專業(yè)標(biāo)牌加工制作廠。工藝設(shè)計(jì)從充電樁的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)我們可以看出，大部分充電樁的結(jié)構(gòu)中都存在大量的焊縫、夾層、半封閉或封閉的結(jié)構(gòu)，這對(duì)充電樁的工藝設(shè)計(jì)造成了較大的挑戰(zhàn)。

蝕刻是制造薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFirm Transistor Liquid Crystal Display，TFT_LCD)陣列基板過程中的一個(gè)重要制程。蝕刻工藝根據(jù)蝕刻劑的物理狀態(tài)分為干蝕刻工藝和濕蝕刻工藝，干蝕刻工藝?yán)梦g刻氣體進(jìn)行蝕刻，濕蝕刻工藝?yán)梦g刻液體進(jìn)行蝕刻。腐蝕是指材料與所處環(huán)境介質(zhì)之間發(fā)生作用而引起材料的變質(zhì)和破壞。

現(xiàn)有的干蝕刻裝置通常包括:真空腔(未圖示)、設(shè)于所述真空腔內(nèi)的上電極板(未圖示)、與上電極板相對(duì)間隔設(shè)置的下電極板1、位于所述下電極板I下方用于承載下電極板I的絕緣板2、設(shè)于所述下電極板I上的靜電吸附平臺(tái)3、位于上、下電極板I之間的等離子體(Plasma)真空放電區(qū)(未圖示)、及與上、下電極板相連的電源(未圖示)，利用等離子體真空放電區(qū)內(nèi)的高壓電場(chǎng)互相作用所產(chǎn)生的等離子體來(lái)對(duì)設(shè)于靜電吸附平臺(tái)3上的晶元或玻璃基板4進(jìn)行蝕刻。技術(shù)背景圖I為現(xiàn)有干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)腔(Chamber)5,設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber)5上的墊板4、以及設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber)5中的擋光板I。

干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，它具備兩個(gè)特點(diǎn):一方面等離子體中的這些氣體化學(xué)活性比常態(tài)下時(shí)要強(qiáng)很多，根據(jù)被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕去除的目的。現(xiàn)有技術(shù)中，高速率干法刻蝕所用等離子激發(fā)手段主要為ICCP(Impressed Current CathodicProtect 1n，外加電流陰極保護(hù))，若要想進(jìn)一步提高刻蝕速率，一般來(lái)說可以通過提高等離子體激勵(lì)源頻率來(lái)獲得更高的等離子體截止密度，達(dá)到提高刻蝕速率的目的。但提高激勵(lì)源頻率會(huì)導(dǎo)致電極表面駐波等問題，導(dǎo)致刻蝕速率不均勻，無(wú)法大面積均勻刻蝕。同時(shí)，環(huán)境中的O2分子會(huì)在172nm紫外線的照射下解離成為游離的氧原子或者O3分子。

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加工工藝

鋸斷加工：用木制品加工用機(jī)械和板就能簡(jiǎn)單地進(jìn)行加工 。推薦使用硬質(zhì)合金刀片。

剪斷加工溝槽加工：距離基面保持 0.2-0.4mm 的 V 型溝槽加工是很重要的。推薦的溝槽角度為 110 度。

如圖所示使用改制的鉆頭 . 齒數(shù) ：2-4 轉(zhuǎn)數(shù) ：20,000-30,000rpm 進(jìn)刀轉(zhuǎn)數(shù) ：2-5m/分 材質(zhì) ：硬質(zhì)合金

在平臺(tái)進(jìn)行操作 ，彎曲部分可以做得很整齊 。

當(dāng)大量加工V型溝槽時(shí)使用圓形鋸和帶鋸為適當(dāng)。圖例所示的是一個(gè)槽刀的例子。材質(zhì) ：硬質(zhì)合金片 外徑 ：305mm 齒數(shù) ：24 轉(zhuǎn)數(shù) ：30,000-50,000rpm 進(jìn)刀轉(zhuǎn)數(shù)：5m/ 分

當(dāng)使用析板機(jī)形板時(shí),應(yīng)使用適當(dāng)半徑上模