耐高溫晶振封裝尺寸誠(chéng)信企業(yè)

KOAN晶體如需減小驅(qū)動(dòng)功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會(huì)減小，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過(guò) Re 的 5 倍；減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會(huì)增加，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率將會(huì)減小。而負(fù)載電容減小，實(shí)際振蕩頻率將會(huì)增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會(huì)對(duì)晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率?；蛘呤褂醚b有單個(gè) C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

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