多靶磁控濺射誠信企業(yè),北京創(chuàng)世威納

磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數(shù)有關。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現(xiàn)有反應濺射技術方案進行了改進，開發(fā)出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶面金屬化合物的形成。

由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學反應生成化合物原子，通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續(xù)進行。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導，所以，化學反應必須在一個固體表面進行。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結構表面進行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其他結構表面生成化合物是資源的浪費，在靶表面生成化合物一開始是提供化合物原子的源泉，到后來成為不斷提供更多化合物原子的障礙。

我國真空鍍膜機行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

我國鍍膜機械，經(jīng)過了幾十年發(fā)展，形成了門類齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應的體系，真空鍍膜設備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術從重污染轉為輕污染直至以后的無污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機械設備研發(fā)必將改變整個工業(yè)。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。

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真空鍍膜機的未來發(fā)展策略

創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)、銷售真空鍍膜機，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1、目前實體經(jīng)濟走勢整體疲弱，復蘇充滿不確定性，經(jīng)濟處于繼續(xù)探底過程，真空鍍膜設備制造企業(yè)應著力進行產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級，重質量、重服務明確市場定位，大力研發(fā)擁有自主知識產(chǎn)權的新產(chǎn)品新工藝，提高產(chǎn)品質量和服務水平。

2、依托信息化發(fā)展趨勢，堅持“以信息化帶動工業(yè)化，以工業(yè)化促進信息化”，走出一條科技含量高、經(jīng)濟效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、人力資源優(yōu)勢得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子。

3、依托政府支持，大力加強與擁有行業(yè)先進技術和工藝水平的科研院所、大型企業(yè)、高校合作，使得新品能迅速推向市場。

真空鍍膜技術及設備擁有十分廣闊的應用領域和發(fā)展前景。未來真空鍍膜設備行業(yè)等制造業(yè)將以信息化融合為重1心，依靠技術進步，更加注重技術能力積累，制造偏向服務型，向世界真空鍍膜設備行業(yè)等制造業(yè)價值鏈高1端挺進。