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KOAN 壓控晶振如何提高壓控靈敏度

Lq/C0 越小，或者 L1/C1 越大時靈敏度越高，但高 Q 值 Lq/C0 總是很大，因此，應(yīng)選擇合適的參數(shù)（增大晶片和電極尺寸靜態(tài)電容 C0 即增大）和選配一個恰當(dāng)?shù)臄U(kuò)展頻偏網(wǎng)絡(luò)。

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KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因?yàn)樗麄冇械偷?Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠(yuǎn)端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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壓控振蕩器

通過改變外加調(diào)整電壓的大小，能改變?nèi)菪载?fù)載CL的值，從而實(shí)現(xiàn)頻率的調(diào)整。頻率調(diào)制和頻率捷變技術(shù)中，由于VCXO不具備溫度補(bǔ)償功能，因此在PCB布局時，應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱源。當(dāng)控制電壓調(diào)整為中央電壓時，VCXO輸出標(biāo)稱頻率，此原理常用于晶振頻率的電校準(zhǔn) (例如VCTCXO)鎖相環(huán)電路中。壓控頻偏和壓控線性矛盾是壓控晶振的主要問題。對于晶振頻率進(jìn)行電壓調(diào)整總是以犧牲晶振的頻率穩(wěn)定度為代價的。用戶選擇頻偏范圍時，盡量選擇頻偏較小，夠用即可，這樣的壓控線性比較好。

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