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ASEMI肖特基二極管新品介紹——
SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面:
1)由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低0.2V)。
2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合于高頻應用。
ASEMI高壓SBD
長期以來,在輸出12V~24V的SMPS中,次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中,只有選用200V~400V的FRED。設計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來,美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機,先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝,形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構
要問肖特基二極管與快恢復二極管的差別,以及為什么采購生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因,那就是頻率的高低不同,直接影響到應用當中的能源耗損,像ASEMI的肖特基二極管,其反向恢復時間已能縮短到5ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低,一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點,能提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率 。
MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯!
采用了臺灣健鼎的一體化測試設備,減少人工操作環(huán)節(jié),同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準,將漏電流有5uA加嚴到2uA以內(nèi);正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片,具有高抗沖擊能力,電性能穩(wěn)定,可信賴度佳。