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?！癯跫壟c次級主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會更有利?！耖_關(guān)電源在MOSFET-D端點工作時候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點），在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組，并作為起點端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計算其圈數(shù)時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因為啟動前電流是非常小的，所以這個電阻并沒有多少影響，幾乎可以忽略不計。

而在電路未啟動之前，由于高壓端啟動電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓，一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路，因為耦合效果好，次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護(hù)。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動不足。

如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。