便攜式IGBT測試儀廠家詢問報價

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術要求

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；（正本、副本）技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。

靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) 技術規(guī)范 供貨范圍一覽表 序號 名稱 型號 單位 數(shù)量 1 半導體靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關標準和規(guī)范的條文，供貨方應提供符合工業(yè)標準和本技術規(guī)范的產品。本技術規(guī)范所使用的標準如遇與供貨方所執(zhí)行的標準不一致時，應按較高標準執(zhí)行。

4驗收和測試 1)驗收由雙方共同參加，按照技術規(guī)范書的技術要求逐項完成所有測試項，檢驗單元是否功能齊全、模塊完整、正常運行。由賣方現(xiàn)場安裝、測試，買方確認測試合格通過后完成驗收。 2)賣方負責組織和實施整個單元的組裝、調試、系統(tǒng)集成工作；負責免費培訓并提供培訓教材。培訓后，應能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。