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電子器件損壞特性概述

一、電阻損壞特性

電阻器是數(shù)量的電子設(shè)備，但并非損壞率高的元件。電阻性損傷以開路為常見，阻值變大是罕見的，阻值變小也很少見。常用的有碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、保險(xiǎn)電阻等。

頭兩種電阻應(yīng)用，破壞特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)損壞率較高，中間阻值(如幾百歐至幾十千歐)損壞；二是低阻值電阻損壞時(shí)往往是燒焦發(fā)黑，很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻值電阻損壞時(shí)很容易發(fā)現(xiàn)。

線繞電阻通常用于大電流限制，但阻值不大。圓筒形線繞電阻燒壞后有些會(huì)發(fā)黑或表面爆皮、裂紋，有些無痕。水阻是線繞電阻的一種，燒壞后可能會(huì)斷裂，否則沒有任何可見痕跡。保險(xiǎn)絲電阻燒壞的時(shí)候有些表面會(huì)炸掉一塊皮，有些也沒有任何痕跡，但不會(huì)變黑?；谏鲜鎏攸c(diǎn)，在檢測電阻時(shí)可著重于快速找到損壞電阻。

二、電解電容損壞特點(diǎn)

電容器在電氣設(shè)備中的用量很大，故障率很高。電解質(zhì)損壞主要表現(xiàn)為：

一是容量完全損失或容量減少；

二為輕度或嚴(yán)重漏電；

三是容量損失或容量變小兼有漏電。

三、二極管，三極管等半導(dǎo)體器件損壞特性

三極管的損壞一般為 PN結(jié)擊穿或開路，其中以擊穿短路為主。另外，還存在兩種損壞表現(xiàn)：

，熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為通電時(shí)正常，一段時(shí)間后發(fā)生軟擊穿；

二是 PN結(jié)的性質(zhì)變差，用萬用表 R×1 k測得，所有 PN結(jié)都正常，但是上機(jī)后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程檔測， PN結(jié)正向阻值比正常值大。

四、集成電路損害特征

IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，有很多功能，其中任何一部分損壞不能正常工作。IC有兩種損壞：完全損壞，熱穩(wěn)定性差。當(dāng)一個(gè)電路完全損壞時(shí)，可以拆開它，和一般同型號(hào)的集成電路比較，測其每個(gè)針對地的正反兩個(gè)電阻，總能發(fā)現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)管腳阻值異常。對于熱穩(wěn)定性差的，可以在設(shè)備工作時(shí)，用無水酒精冷卻集成電路，如果故障出現(xiàn)延遲或不再發(fā)生故障，就可以判定。一般只能更換新集成電路來排除。

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PCB線路板和IC芯片的區(qū)別。

電路板上有印刷的焊錫芯片，集成電路（IC）焊接在PCB上； PCB是集成電路（IC）的載體。 PCB板是印刷電路板（PCB）。 印刷電路板幾乎出現(xiàn)在所有電子設(shè)備中。 如果安裝在電子元件中，印刷電路板安裝在各種尺寸的 PCBS 上。 印刷電路板除了固定各種小零件外，主要作用是將上述零件電連接起來。

簡單的說，集成電路就是將通用電路集成到一個(gè)芯片中，芯片就是一個(gè)整體。 一旦內(nèi)部損壞，芯片就會(huì)損壞。 PCB可以自行焊接元件，如果壞了可以更換。

以低導(dǎo)通電阻降低功耗的車載用小型MOSFET產(chǎn)品陣容擴(kuò)大

東芝電子元件與存儲(chǔ)株式會(huì)社（“東芝”）推出了 30 V 產(chǎn)品“SSM6K818R”、適用于前照燈控制開關(guān)等的汽車設(shè)備用 N 溝道 MOSFET，以擴(kuò)大其陣容。

新產(chǎn)品采用我們的新工藝，具有的[1]低導(dǎo)通電阻。他們通過扁平引線封裝擴(kuò)展了芯片安裝能力，降低了熱阻。因此，該產(chǎn)品采用小型 TSOP6F 封裝，具有 1.5 W 的額定功耗，有助于降低設(shè)備的功耗。此外，TSOP6F 封裝與具有類似功耗額定值的 SOP-8 封裝相比，安裝面積減少了約 70%，有助于減小設(shè)備尺寸。此外，它們符合 AEC-Q101，允許它們用于各種用途，包括汽車應(yīng)用，如前燈控制開關(guān)、燈光控制開關(guān)和用于 USB 供電的負(fù)載開關(guān)。

另一款 40 V 產(chǎn)品 SSM6K804R 將投入量產(chǎn)。