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電池片的檢驗

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四、色調(diào)偏色 

A級 

1、多晶硅片：單個充電電池的色調(diào)勻稱相同，色調(diào)的范疇從深藍(lán)色剛開始，經(jīng)暗藍(lán)色、鮮紅色、棕褐色、到深褐色中間容許相仿色的偏色（深藍(lán)色和暗藍(lán)色存有單個充電電池上，但不容許跳色），行為主體色調(diào)為暗藍(lán)色，單個充電電池容許二種色調(diào)。2、多晶硅電池片：同一整片電池片色調(diào)勻稱相同，色調(diào)范疇中沒有深褐色，別的同多晶A級的辨別。新的規(guī)范：片式上勻稱相同的不一樣色調(diào)的電池片，依照淡藍(lán)色、深藍(lán)色、鮮紅色幾種開展歸類。

B級 

1、多晶硅片：單個充電電池色調(diào)不勻稱，容許存有跳色偏色，數(shù)跳1個相仿色（比如：鮮紅色和深褐色存有于單個充電電池上），行為主體色調(diào)為深藍(lán)色-鮮紅色范疇，單個充電電池個容許存有幾種色調(diào)。 

2、多晶硅電池片：與多晶電池片對比，只少了行為主體色調(diào)，別的同多晶B級的辨別。新的規(guī)范：與舊規(guī)范同樣 

C級 

1．多晶硅片：同一整片充電電池容許色調(diào)不勻稱（深藍(lán)色-暗藍(lán)色-鮮紅色-棕褐色-深褐色）容許存有跳色偏色，以電池片上能夠有≥2個相仿色。 

2．多晶硅電池片：與多晶電池片對比，色調(diào)范疇中少了深褐色，其他同多晶C級的辨別。新的規(guī)范：與舊規(guī)范同樣注：當(dāng)片式上為勻稱相同獲得不一樣色調(diào)，判為A級，但需依照淡藍(lán)色、深藍(lán)色、鮮紅色幾種開展單測單包。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點：

粗點寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點

粗點寬度≤ 0.25mm ，個數(shù)小于 5 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點，粗點寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

粗點寬度≤ 0.3mm ，個數(shù)小于 8 個

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

6、加工工藝小圓圈該怎樣判？ 

人們檢測處未作退級解決，假如發(fā)覺小圓圈的半經(jīng)超出1.6mm立即向主管意見反饋或告之品管部，PECVD處會立即將高純石墨舟換下來 

7、隱裂片怎樣造成？怎樣判？ 

大部分是原料的難題，另一個是影片在外擴散高溫反映后內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生撞擊。在多芯片里，一些隱裂片裂縫并不是很長，能夠按文檔規(guī)定作需切角。 

8、空氣氧化的電池片怎樣判？ 

如果不是將其風(fēng)干，依據(jù)空氣氧化后得色調(diào)判。（淡黃色） 

9、怎樣了解跑模產(chǎn)生在哪兒一條？ 

以料漿的色調(diào)來判，第二條豫第三道的料漿是不會改變的，各自是鋁漿和銀漿，色調(diào)各自為深灰色和乳白色。一層有將會是銀漿或銀鋁漿，銀鋁漿是灰白，另一個，要看漏漿的部位。

10、對斷開未超出2mm的電池片，判斷不相同？ 先依照文檔判斷是不是超出規(guī)定的總數(shù)，如果不是，按斷開的顯著水平及部位。

電池片的制作工藝

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時器件會造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。