無(wú)錫單晶硅光伏組件回收信賴推薦 振鑫焱電池板組件價(jià)格

電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

九、崩邊、豁口、掉角 

充電電池邊沿崩邊喝豁口 

A級(jí)：其長(zhǎng)短≤3mm，深度1≤0.5mm，總數(shù)≤2處 

B級(jí)：其長(zhǎng)短≤5mm，深度1≤1.0mm，總數(shù)≤3處 

四邊豁口 

A級(jí)：規(guī)格≤1.5*1.5mm，總數(shù)≤1處 

B級(jí)：規(guī)格≤2.0*2.0mm，總數(shù)≤1處 

注：多晶硅A級(jí)和B級(jí)均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過(guò)電級(jí)(主柵線，副柵線) 

超出B級(jí)范疇 

多晶硅電池片超出了B級(jí)范疇，就立即做為缺點(diǎn)片。 

多晶電池片超出了B級(jí)范疇，如合乎C級(jí)需切角片的規(guī)定，能作C級(jí)需切角片多

經(jīng)容許邊緣有豁口（包含三邊形豁口和銳利行豁口），對(duì)邊緣豁口聽(tīng)規(guī)定給出 

125任意邊緣破損≤18*18mm 

150任意邊緣破損≤8*8mm 

156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過(guò)了C級(jí)片的規(guī)定，做為缺點(diǎn)片。徹底粉碎，無(wú)運(yùn)用使用價(jià)值的做為報(bào)費(fèi)片新的規(guī)范與舊的同樣。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

STF 印制：

A 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象（字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ）但仍可辨識(shí)時(shí)作為 A 級(jí)。若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的 1/3 判定，缺失長(zhǎng)度小于字母高度 1/3 。

B 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象，字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ，但仍可辨識(shí)時(shí)，如實(shí)心“ P ”，若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的

1/3 判定，缺失長(zhǎng)度小于字母高度 1/3 。

C 級(jí)：

若字母變形或無(wú)法辨識(shí)時(shí)直接降為 C 級(jí)。

新的標(biāo)準(zhǔn)與舊的相同

缺陷片：

1．   主柵線或副柵線或背電極或背電場(chǎng)超出 c 級(jí)降級(jí)片的要求時(shí)，但仍有利用價(jià)值的片子。

2．   由于存儲(chǔ)不當(dāng)造成成電極氧化時(shí)，直接以報(bào)廢片處理

3．   僅印刷烘干而沒(méi)有經(jīng)過(guò)燒結(jié)的電池片，如果還有利用價(jià)值，則租鋪位缺陷片處理

4．   完全未印制背電場(chǎng)的電池片作缺陷片處理。

5．   疊片仍有利用價(jià)值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報(bào)廢片處理。

電池片的制作工藝

影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時(shí)間

對(duì)于恒定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對(duì)于限定源：時(shí)間 t 越長(zhǎng)結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁?、源溫?

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對(duì)擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對(duì)方塊硅片，長(zhǎng)度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。

1. 通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)監(jiān)控生產(chǎn)電池片的效率及暗電流等參數(shù)是否正常。

2. 對(duì)生產(chǎn)的電池片進(jìn)行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件

1. 光源輻照度： 1000W/m2 。  

2. 測(cè)試溫度：   25℃ 。

3.AM1.5地面太陽(yáng)光譜輻照度分布。

測(cè)試參數(shù)

1. 開(kāi)路電壓

在一定的溫度和輻照度條件下，太陽(yáng)電池在空載情況下的端電壓，用 V oc 表示， PN 結(jié)開(kāi)路，即 I=0 ，此時(shí) PN 結(jié)兩端的電壓即為開(kāi)路電壓。將I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓與電池面積大小無(wú)關(guān)。太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓與入射光譜輻照度的對(duì)數(shù)成正比。