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小型自動磁控濺射儀

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達(dá)到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進(jìn)行電化學(xué)拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺 1套，樣品臺可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)?；訜釡囟龋菏覝亍?00°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機(jī)組及閥門、管道 1套，包含1臺進(jìn)口復(fù)合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國普發(fā)Hipace700分子泵）；1臺機(jī)械泵（4L/S） ，1臺DN40氣動截止閥，機(jī)械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動閘板閥1臺（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺，DN40旁抽氣閥1臺，壓差式充氣閥1臺；一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機(jī)臺架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機(jī)臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動。

磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。　

技術(shù)指標(biāo)：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機(jī)驅(qū)動，計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時間的變化做實(shí)時采集，對位移誤差進(jìn)行計(jì)算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實(shí)現(xiàn)換位鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

雙室磁控濺射系統(tǒng)

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設(shè)備簡介

主要特點(diǎn)是設(shè)備體積小，結(jié)構(gòu)簡單緊湊易于操作，對實(shí)驗(yàn)室供電要求低；磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域，還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。該系列設(shè)備主要部件采用進(jìn)口或者國內(nèi)優(yōu)的配置，從而提高設(shè)備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設(shè)備的運(yùn)行重復(fù)性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據(jù)客戶的不同需求進(jìn)行配置，比較靈活；標(biāo)配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜以及絕緣膜等。

濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動的足夠動量，離開靶被濺射出來。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。

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