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影響LaALO3晶體生長質(zhì)量的主要因素如下幾點:
(1)合適的溫場,既要有生長趨動力,又要防止組份過冷。
(2)設(shè)置合適的提拉速度和旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速,確保平界面或微凸界面生長。
(3)保持下種放肩的連續(xù)性和平坦性,絕1對避免溫度的波動。
(4)高純度(≥99.9995)的原料是確保獲得高質(zhì)量晶體的基本保證。
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝。
鋁酸鑭(LaAlO3)晶體技術(shù)參數(shù):晶向:<100>、<110>、<111>;晶體結(jié)構(gòu):贗立方;晶格常數(shù):a=3.792A;生長方法:提拉法;熔點:2080℃ ;密度:6.52g/cm3;莫氏硬度:6.5 Mohs;熱膨脹系數(shù):10×10-6/℃;介電常數(shù):25;損耗正切(10GHz):~3×10-4@300K,~0.6×10-4@77K 。因為鋁酸鑭(LaAlO3)單晶在微波渡段具有低的介電數(shù)和介電損耗,且對多種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料晶格匹配好,所以是外延生長高溫超導(dǎo)薄膜和巨磁阻薄膜的極1好襯底材料,長期以來是作為一種襯底材料進(jìn)行研究。
鋁酸鑭(LaAlO3)晶體產(chǎn)品規(guī)格:常規(guī)尺寸:5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ;常規(guī)晶向:<100>、<110>、<111>;晶向公差: /-0.5度;拋光情況:單拋或雙拋 (<110> Ra<15A,<100>和<111> Ra<5A)。注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。顏色及外觀:依退火狀況而不同,由棕黃色到褐色,拋光基片有自然孿晶疇;化學(xué)穩(wěn)定性:室溫下不溶于礦物酸,溫度大于150℃時可溶于H3PO4。
鋁酸鑭(LaAlO3)晶體的著色主要是原料中的雜質(zhì)所致,因此,我們在選擇原料時采用高純原料。另外剩余料要限制使用次數(shù),且時刻注意避免原料的污染。鋁酸鑭(LaAlO3)晶體尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸)10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 dia1″×0.5、dia2″×0.5等。鋁酸鑭(LaAlO3)單晶的應(yīng)用,取決于大尺寸鋁酸鑭(LaAlO3)晶體生長。