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碳化硅制品中的雜質(zhì)如何有效的去除?

　碳化硅制品中的雜質(zhì)如何有效的去除?碳化硅制品中經(jīng)常會出現(xiàn)雜質(zhì)，影響使用，當出現(xiàn)雜質(zhì)后并不可怕，采取合理的方法進行去除就可以了，那么應該怎樣去除碳化硅制品中的雜質(zhì)呢，下面小編就帶大家來了解幾種不同的去雜質(zhì)方法?！　∈紫仁褂盟徇M行清洗的方法，用酸清洗能夠非常方便的清洗掉碳化硅當中的雜質(zhì)，它的操作方法也是非常簡單的，就是在加熱的條件才，用硫酸對碳化硅進行適當?shù)闹?，這樣硫酸就會與碳化硅中的鐵進行反應，從而去除掉其中的雜質(zhì)，同時氧化鐵、鋁等雜質(zhì)也會與硫酸進行反應。　　還有就是用堿進行清洗的方法來去除，碳化硅的堿洗方法也是比較簡單的，它跟酸洗的方法也是十分類似，就是在加熱的條件下用對碳化硅進行處理，主要目的是除掉外表的游離硅，二氧化硅等等，這么能夠進步碳化硅的含量，從而使碳化硅的含量提升?！　∷蕴蓟柚破分须s質(zhì)的去除方法是非常簡單的，用酸洗或者堿洗的方法能夠非常好的進行去除其中的不同雜質(zhì)，能夠使得碳化硅制品的純度提高，從而能夠有一個更好的使用性能，在更多的領域中得到重要的應用。碳化硅的制品之一的碳化硅陶瓷具有的高硬度、高耐腐蝕性以及較高的高溫強度等特點，這使得碳化硅陶瓷得到了廣泛的應用。

“三耐”材料利用碳化硅

“三耐”材料利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強度大、導熱性能良好、抗沖擊等特性，碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯、高溫爐窯構件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。另一方面可用于有色金屬冶煉工業(yè)的高溫間接加熱材料，如豎罐蒸餾爐、精餾爐塔盤、鋁電解槽、銅熔化爐內(nèi)襯、爐用弧型板、熱電偶保護管等；用于制作耐磨、耐蝕、耐高溫等碳化硅陶瓷材料；還可以制做火箭噴管、燃氣輪機葉片等。此外，碳化硅也是高速公路、航空飛機跑道太陽能熱水器等的理想材料之一。碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。建材陶瓷砂輪工業(yè)利用其導熱系數(shù)、熱輻射、高熱強度大的特性，制造薄板窯具，不僅能減少窯具容量，還提高了窯爐的裝容量和產(chǎn)品質(zhì)量，縮短了生產(chǎn)周期，是陶瓷釉面烘烤燒結理想的間接材料。1、鋼鐵、鋼管、鋼結構不銹鋼制品的表面亞光處理，噴涂前噴砂除銹處理。利用良好的導熱和熱穩(wěn)定性，作熱交換器，燃耗減少20%，節(jié)約燃料35%，使生產(chǎn)率提高20-30%，特別是礦山選廠用排放輸送管道的內(nèi)放，其耐磨程度是普通耐磨材料的6--7倍。

重結晶碳化硅制品(再結晶)

重結晶碳化硅制品

重結晶(再結晶)碳化硅制品是以碳化硅為原料制成的碳化硅與碳化硅直接結合的耐火制品。制造重結晶碳化硅所用原料的化學組成如下：SiC 99.5%，游離C 0.2%，F(xiàn)e 0.08%，游離SiO2 0.08%。

重結晶碳化硅制品主要用做窯具，有節(jié)能、增加窯的有效容積、縮短燒成周期、提高窯的生產(chǎn)效率、經(jīng)濟效益高等優(yōu)點，還可用做燒嘴噴嘴頭、陶瓷輻射加熱管、元件保護管(特別是用于氣氛爐)等。

生產(chǎn)工藝粗、中、細SiC的配方

生產(chǎn)工藝

粗 、中、細SiC的配方應為5：1：4。制造碳化硅原料一般選用黑色SiC，其化學成分如下：SiC 98.0%，游離C 0.5%，F(xiàn)e 0.2%，游離SiO2 0.6%。由于結合方式不同，工藝過程有差異。不同結合方式的簡要工藝是：

(1)氮化硅結合碳化硅：用粗、中、細碳化硅顆粒和細硅粉成型的坯體，在純N2氣體中，在1370℃產(chǎn)生一種以&α-SiC為骨架和以&α和&β-Si3N4。為基質(zhì)的氮化硅結合碳化硅。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。在基質(zhì)中尚有少量殘留硅和SiO2N2在制品中，這些組分的相對含量隨制造工廠不同而異。

(2)結合碳化硅：將SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃還原氣氛中燒成。在大多數(shù)情況下采用埋炭燒成。在燒成過程中，產(chǎn)生一種以&α-SiC為骨架，以細晶粒&β-SiC為基質(zhì)的&β-Si3N4結合SiC磚。碳化硅在加工與生產(chǎn)進程傍邊粒形的好壞、微粉的顯微鏡下形狀，都決議了加工產(chǎn)品時分關于質(zhì)量的影響。&β-SiC是在燒成過程中，細硅粉與細碳粉反應生成的，這種產(chǎn)品也含有少量殘留硅和碳。

(3)氧氮化硅結合碳化硅：這種磚配料時，細硅粉配比要少于碳化硅。