led外延片廠家來(lái)電咨詢馬鞍山杰生半導(dǎo)體

【廣告】

發(fā)布時(shí)間：2021-04-02 05:54

電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個(gè)量級(jí)，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說(shuō)的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計(jì)和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計(jì)制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺(tái)積電這樣的專業(yè)代工廠；而分立器件一顆die就是獨(dú)立的一個(gè)發(fā)光源再加上正負(fù)電極，里面的制程可能100um/10um級(jí)就夠了，制造工藝流程也簡(jiǎn)單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨(dú)立的LED IC設(shè)計(jì)公司。

2，芯片制造廠對(duì)清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動(dòng)速度上不來(lái)，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對(duì)發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個(gè)數(shù)量級(jí)（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴(yán)重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來(lái)的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。

什么是LED芯片呢？它有什么特點(diǎn)呢？

LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)盡可能的多地出光。

渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。

一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。

鍍膜后形成的合金層還需要通過(guò)光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來(lái)，使留下來(lái)的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。

光刻工序結(jié)束后還要通過(guò)合金化過(guò)程，合金化通常是在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。

合金化的時(shí)間和溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性與合金爐形式等因素決定。

當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極工藝還要復(fù)雜，需增加鈍化膜生長(zhǎng)、等離子刻蝕工藝等。

用于半導(dǎo)體照明的芯片技術(shù)的發(fā)展主流是什么?

隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。

但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。

提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問(wèn)題成為突出問(wèn)題，現(xiàn)在通過(guò)芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。