無錫鍵盤真空鍍膜在線咨詢「菱威納米」

       真空涂層技術(shù)發(fā)展到了今天還出現(xiàn)了PCVD(物理化學(xué)氣相沉積)、MI-CVD(中溫化學(xué)氣相沉積)等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當(dāng)涂層厚度達(dá)到0.3μm時，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差。可見，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實現(xiàn)互補(bǔ)，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機(jī)應(yīng)運而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，然后利用磁控濺射法増厚涂層，后再利用多弧鍍達(dá)到終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。

原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。

       將標(biāo)準(zhǔn)建筑照明應(yīng)用中的環(huán)境條件與海洋環(huán)境相比較可以幫助我們了解LED燈珠惡化的潛在原因。在建筑照明應(yīng)用中，由于照明單元的設(shè)計，LED燈珠本身可能被覆蓋，或者LED燈珠的朝向使得它只可能暴露于環(huán)境溫度和濕度的一般變化中。在海洋環(huán)境中，LED燈珠可能會被鹽水濺到或者浸泡。此外，在所有的情況下，LED燈珠的大部分使用壽命是在鹽霧環(huán)境中工作。高鹽條件可能會導(dǎo)致腐蝕印刷電路板（PCB），從而比一般濕度變化會更快地降低其性能。通常，在這些環(huán)境中，封裝樹脂、保形涂層均可提供高水平的保護(hù)。