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原位聚合法

原位聚合法是將單體或可溶性預聚體在基材表面聚合形成導電聚合物膜，主要包括直接聚合法、溶液聚合吸附法、化學氣相沉積法、氣相沉積聚合法、液相沉降聚合法。原位聚合法是一種極有前景的制作PEDOT對電極的方法，這種方法在制作其他PEDOT材料尤其是光學材料上得到了廣泛的應用，一些xPEDOT薄膜對電極研究中的制膜均采用該方法。采用錐狀硅納米洞結構，并通過調控其孔徑和深度，實現(xiàn)PEDOT:PSS對硅很好地包覆和對光的充分利用。

傳統(tǒng)的硅太陽能由于制備流程復雜、硬件設備投資高，使得電池成本高，限制了更大規(guī)模的應用。因此，開發(fā)新型低成本太陽能電池具有重要的實際應用價值。選用制備工藝簡單的新型電荷選擇性材料（PEDOT:PSS（聚(3,4-亞乙二氧基s吩)-聚（b乙烯磺酸））與晶硅基片形成非摻雜的異質結太陽能電池，可以避免摻雜所需要的高溫工藝，有望獲得低成本的硅基異質結太陽能電池。通過滾涂法制備了一種摻雜二甲j亞砜(DMSO)和炭黑的改性PEDOT∶PSS新型對電極。

但是這類異質結電池存在PEDOT:PSS材料本身空穴遷移率低，PEDOT:PSS/硅接觸面性能差，以及硅/金屬電極接觸電阻高等問題，限制了電池轉換效率的提高。針對這一些列問題，蘭州大學物理科學與技術學院彭尚龍團隊采用PEDOT:PSS材料改性、光吸收改善、硅納米陷光結構的構筑、硅表面鈍化和硅/金屬界面接觸電阻降低等策略，實現(xiàn)電池轉換效率提升和成本降低，取得了一系列研究成果。而且制備的PEDOT薄膜結構規(guī)整、電導率高，同時薄膜與電極的粘結力較強。

調控導電高分子對陰離子的分子結構來調控對陰離子的位阻，實現(xiàn)了薄膜自抑制法聚合（SIP）新工藝，獲得了可應用的PEDOT厚膜材料，使得便捷制備微米級高電導率（>103 S/cm）PEDOT薄膜成為可能。在此研究基礎上，在自抑制效果下實現(xiàn)了高膜厚無氣孔PEDOT:DBSA-Te點復合薄膜的同步生成。通過新型Fe(III)氧化劑的自抑制作用，實現(xiàn)了PEDOT基體對均勻分散Te顆粒的緊密包覆，成功抑制了Te納米顆粒的氧化。這類材料可應用于電致變色智能窗、電致變色顯示器、無眩反射鏡、電色儲存器件、紅外發(fā)s器件、雷達吸波材料等多個領域。