等離子化學氣相沉積設(shè)備公司常用指南「多圖」

化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

想要了解更多化學氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，請及時關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司網(wǎng)站。

鈀的化學氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。I)沉積物種類多:可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學者使用化學氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機化合物當做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。

化學氣相沉積產(chǎn)品概述

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點：應用于半導體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

ICP刻蝕機的檢測技術(shù)

預報式檢測

隨著主流半導體工藝技術(shù)由0.18 μm 逐漸轉(zhuǎn)移到0.13 μm工藝，以及較新的90 nm 工藝成功研發(fā)及投入使用。半導體器件的特征尺寸進一步減小，柵氧層的厚度越來越薄。ICP頭尺寸：340mmmm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好， 則非常容易出現(xiàn)柵氧層的損傷；同時， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，所檢測到的終點信號的強度下降，信號的信噪比降低。所有這些因素都對終點檢測技術(shù)本身及其測量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴格的要求。在0.18 μm工藝時，使用單一的OES檢測手段就可滿足工藝需求;進入0.13 μm 工藝后，就必須結(jié)合使用OES 及IEP 兩種檢測手段。由于IEP技術(shù)可以在刻蝕終點到達之前進行預報，因而被稱為預報式終點檢測技術(shù)。

想要了解更多ICP刻蝕機的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！