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發(fā)布時間：2020-07-22 20:27

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視頻作者：蘇州振鑫焱光伏科技有限公司

電池片的制作工藝

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1. 通過測試數(shù)據(jù)監(jiān)控生產(chǎn)電池片的效率及暗電流等參數(shù)是否正常。

2. 對生產(chǎn)的電池片進行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。

標準測試條件

1. 光源輻照度： 1000W/m2 。

2. 測試溫度： 25℃ 。

3.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布。

測試參數(shù)

1. 開路電壓

在一定的溫度和輻照度條件下，太陽電池在空載情況下的端電壓，用 V oc 表示， PN 結(jié)開路，即 I=0 ，此時 PN 結(jié)兩端的電壓即為開路電壓。將I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太陽電池的開路電壓與電池面積大小無關。太陽電池的開路電壓與入射光譜輻照度的對數(shù)成正比。

2. 短路電流

在一定的溫度和輻照條件下，太陽電池在端電壓為零時的輸出電流，通常用 I sc 來表示。

將 PN 結(jié)短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，這時所得的電流為短路電流 Isc ，顯然有： I sc = I L ， I sc 與太陽電池的面積大小有關，面積越大， I sc 越大。 I sc 與入射光的輻照度成正比。

3. 功率點

在太陽電池的伏安特性曲線上對應大功率的點，又稱佳工作點。

4. 工作電壓

太陽電池伏安特性曲線上大功率點所對應的電壓。通常用 V m 表示

5. 工作電流

太陽電池伏安特性曲線上大功率點所對應的電流。通常用 I m 表示

6. 轉(zhuǎn)換效率

受光照太陽電池的大功率與入射到該太陽電池上的全部輻射功率的百分比。 η = V m I m / A t

P in 其中 V m 和 I m 分別為大輸出功率點的電壓和電流， A t 為太陽電池的總面積， P in 為單位面積太陽入射光的功率。

7. 填充因子

太陽電池的大功率與開路電壓和短路電流乘積之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太陽電池的極限輸出功率， I m V m 是太陽電池的大輸出功率，填充因子是表征太陽電池性能優(yōu)劣的一個重要參數(shù)。

8. 電流溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗條件下，被測太陽電池溫度每變化 1 0 C ，太陽電池短路電流的變化值，通常用 α 表示。對于一般晶體硅電池 α = 0.1%/ 0 C 。

9. 電壓溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗條件下，被測太陽電池溫度每變化 1 0 C ，太陽電池開路電壓的變化值，通常用 β 表示。對于一般晶體硅電池 β = - 0.38%/ 0 C 。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍印和表層黑斑?？煽匦运剑簺]辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。

基準點1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。