24N50插件場效應管-插件場效應管-ASEMI

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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V

型號：A29T / 3402

封裝：SOT-23

漏極電流（VDS）：4A

漏源電壓（ID）：30V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場效應晶體管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，24N50_插件場效應管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，25N120插件場效應管，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

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MOS管（MOSFET）的發(fā)熱情況：

1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，24N50插件場效應管，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，插件場效應管，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關(guān)阻抗增大。

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ASEMI低壓MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管 

型號：A09T / 3400

封裝：SOT-23

漏極電流（VDS）：5.8A

漏源電壓（ID）：30V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場效應晶體管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設計師必須認定一個是drain另一個是source。

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