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反應離子刻蝕的操作方法
通過向晶片盤片施加強RF(射頻)電磁場,在系統(tǒng)中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率,施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子,從而產生等離子體 [3] 。在場的每個循環(huán)中,電子在室中上下電加速,有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時,離子束刻蝕機多少錢,響應于RF電場,更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時,離子束刻蝕機報價,它們被簡單地送到地面并且不會改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而,沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓,通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度,等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差,正離子傾向于朝向晶片盤漂移,在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學反應,但也可以通過轉移一些動能來敲除(濺射)某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞,反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓,這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù),例如壓力,氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻,用于挖掘深部特征。
刻蝕技術
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刻蝕技術(etching technique),離子束刻蝕機價格,是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。
刻蝕機
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刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發(fā)性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。
刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕,使太陽能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導體工藝中多晶硅,氮化硅的刻蝕和去膠。
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