NR26 25000P光刻膠廠家廠家報(bào)價(jià)

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發(fā)布時(shí)間：2020-10-21 05:33

光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。四、前烘（SoftBake）完成光刻膠的涂抹之后，需要進(jìn)行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車(chē)通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國(guó)內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)全球光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增速，國(guó)內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類(lèi)光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。

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光刻膠穩(wěn)定性

化學(xué)穩(wěn)定性：在正常儲(chǔ)存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩(wěn)定。

避免的條件: 火源、濕氣、過(guò)熱的環(huán)境。

不相容的其他材料: 強(qiáng)氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數(shù)據(jù)

皮膚：可以通過(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類(lèi)似于吸入。長(zhǎng)時(shí)間或重復(fù)接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發(fā)炎。

吸入：吸入時(shí)可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導(dǎo)致困倦和頭暈。