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光刻膠分類
1、負性光刻膠
主要有聚酸系(聚酮膠)和環(huán)化橡膠系兩大類,前者以柯達公司的KPR為代表,后者以O(shè)MR系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醒為感光化臺物,以酚醛樹脂為基本材料。的有AZ-1350系列。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高,缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
3、負性電子束光刻膠
為含有環(huán)氧基、乙烯基或環(huán)硫化物的聚合物。 的是COP膠,典型特性:靈敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速電壓10KV時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。
4、正性電子束光刻膠
主要為甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。的是PMMA膠,典型特性:靈敏度40~ 80μC/cm^2 (加速電壓20KV時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。
PMMA膠的主要優(yōu)點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低,此外在高溫下易流動,耐干法刻蝕性差。
光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力,一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
2、對比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的
粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕I序中保護襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。
以上內(nèi)容由賽米萊德為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!
光刻膠的應(yīng)用
光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。
期望大家在選購光刻膠時多一份細心,少一份浮躁,不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多光刻膠的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?!