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光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚
光刻膠的研發(fā),關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑,開發(fā)所涉及的技術(shù)難題眾多,需從低聚物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細(xì)度控制和穩(wěn)定、產(chǎn)品配方設(shè)計(jì)和優(yōu)化、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調(diào)整等方面進(jìn)行調(diào)整。因此,要自主研發(fā)生產(chǎn),技術(shù)難度非常之高。江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示,光刻膠要真正實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,難度很大。
在光刻膠研發(fā)上,我國起步晚,2000年后才開始重視。近幾年,雖說有了快速發(fā)展,但整體還處于起步階段。事實(shí)上,工藝技術(shù)水平與國外企業(yè)有著很大的差距,尤其是材料及設(shè)備都仍依賴進(jìn)口。
NR9-3000PYNR74g 6000PY光刻膠廠家
五、曝光
在這一步中,將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),從而使正光刻膠被照射區(qū)域(感光區(qū)域)、負(fù)光刻膠未被照射的區(qū)域(非感光區(qū))化學(xué)成分發(fā)生變化。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域,在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。當(dāng)顯影后NR9-3000PY顯示出負(fù)的側(cè)壁角度,是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。
在接受光照后,正性光刻膠中的感光劑DQ會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),變?yōu)橐蚁┩⑦M(jìn)一步水解為茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍,產(chǎn)生的羧酸同時(shí)還會促進(jìn)酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度100-140度10-30min7,顯影檢驗(yàn)光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡小孔、小島。
曝光方法:
a、接觸式曝光(Contact Printing)掩膜板直接與光刻膠層接觸。
b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm。
c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。
d、步進(jìn)式曝光(Stepper)
2,涂膠,在硅片覆蓋,旋轉(zhuǎn),離心力,在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠,工藝參數(shù)3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um,
3,前烘,通過在較高溫度下進(jìn)行烘焙,使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā),溶劑將至5%左右,同時(shí)增強(qiáng)與襯底的粘附性。前烘方法:熱平板傳導(dǎo),干燥循環(huán)熱風(fēng)提高附著力,紅外線輻射。
烘箱前烘條件:90-100度,10-20min,前烘時(shí)間與溫度應(yīng)適當(dāng),如太長或溫度太高,光刻膠層變脆而附著力下降,而前烘不足會影響后面的顯影效果。
PC6-16000
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢:
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
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