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光刻膠概況
以下內(nèi)容由賽米萊德為您提供,今天我們來分享光刻膠的相關(guān)內(nèi)容,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是光刻工藝的關(guān)鍵化學品,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用,是微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類。其中,樹脂約占 50%,單體約占35%,光引發(fā)劑及添加助劑約占15%。
如何選購光刻膠?
光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質(zhì),使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的,但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對光刻膠進行合理的選擇。
劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過程中,正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區(qū)域保持不變。負性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙?,而曝光的區(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是的,因此在IC制造中的應用更為普及,但MEMS系統(tǒng)中,由于加工要求相對較低,光刻膠需求量大,負性膠仍有應用市場。
光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1.靈敏度(Sensitivity)
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量越小。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標,影響該指標的因素通常有如下3個方面:
(1) 曝光系統(tǒng)的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
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光刻膠:半導體技術(shù)壁壘的材料之一
光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝,耗時占IC制造50%左右,成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材,光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響。
賽米萊德——專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠,我們公司堅持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽,以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。