建德硅碳棒電爐優(yōu)惠報(bào)價(jià)【淄博凱陽】

硅碳棒的老化

硅碳棒在高溫下長期使用，由于sic表面被氧化，致使原件中的sio2含量逐漸增多，使其電阻增大，這是正?，F(xiàn)象，稱之為“老化”，原件在使用中，前500小時(shí)老化速度快，以后的老化速度緩慢，主要是元件表面的sio2膜減緩了sic的氧化。硅碳棒的電阻測定是采用專用的電器檢測設(shè)備測高溫電阻的,不做常溫測定,如果采用萬用表等儀器測量,誤差很大,因而硅碳棒在溫度較低時(shí)(20攝氏度)電阻率數(shù)值具有不確定性。硅碳棒的老化速度取決于元件的使用溫度和表面負(fù)荷密度。

1.

硅碳棒質(zhì)地硬而脆，在搬動(dòng)時(shí)要特別小心，應(yīng)輕拿、輕放、嚴(yán)防機(jī)械敲打，以免斷棒。

2.

硅碳棒與插孔之間間隙要用耐火纖維棉填充，但不要塞得過緊，穿過爐壁兩側(cè)（或上下）的棒孔后，應(yīng)自由轉(zhuǎn)動(dòng)360，嚴(yán)防強(qiáng)制安裝和敲打，裝棒前可用與棒端直徑相同的鐵管試管試裝。

硅碳棒通電后的特征

　　硅碳棒是在碳化硅棒中通電，加熱到l000攝氏度左右，用于1—25微米.波長范圍的紅外光源。1、因元件質(zhì)地硬而脆，故在元件的安裝、拆卸、搬運(yùn)時(shí)，應(yīng)特別小心，嚴(yán)防撞擊，以免造成裂斷現(xiàn)象。商售的硅碳捧在直徑6.2毫米、長度100毫米的棒的中央設(shè)置直徑為6．2毫米、長度為20毫米的熱輻射區(qū)域，能得到與同—溫度的黑體輻射相當(dāng)接近的熱輻射，平均光譜發(fā)射率可達(dá)0.88左右。輸入功率130瓦(電壓lI伏，電流12安)時(shí)，能得到1000K的分布溫度。商售硅碳棒的光譜發(fā)射照度。

　　硅碳棒是簡便的紅外光源，作為光聲光譜用的光源，其輻射束強(qiáng)度低1個(gè)數(shù)量級以上?，F(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體、分析化驗(yàn)、科學(xué)研究等高溫領(lǐng)域，成為隧道窯、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶煉爐以及各類加熱設(shè)備的電加熱元件。為此，輸入功率更高，并在高溫下工作的白熾碳棒被用作光聲光譜的光源?？傻玫?500K左右的熱輻射分布溫度，棒的壽命是400小時(shí)左右，可用光譜純的高純度碳制作，在直徑8毫米、長度120毫米的碳標(biāo)棒中央，開有長度為6厘米、深度為3毫米的V形槽，以此作為熱輻射區(qū)。所需要功率約為4千瓦，電極部分用水冷卻，這樣更容易輸出熱輻射。蒸發(fā)的碳一旦附著在腔罩上，便會(huì)引起電流的損失，導(dǎo)致光源變暗。因此，必須定期清洗腔體。

③ 爐內(nèi)氣氛

在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

④窯爐運(yùn)行方式

硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長。如果是新窯或長時(shí)間沒有使用的窯爐必須用舊棒進(jìn)行烘窯，切忌用新棒烘窯。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時(shí)經(jīng)常急劇增加電阻。

⑤ 接線方法

如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。硅碳棒與堿金屬、堿、硅酸鹽、硼化物等接觸會(huì)產(chǎn)生腐蝕，所以要避免它們與棒體接觸。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線時(shí)建議使用開放三角形接線。