NR9 8000光刻膠廠家生產(chǎn)基地

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內(nèi)市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術優(yōu)勢?！?0次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤，由于達不到客戶需求的防靜電作用，不能應用到新一代窄邊框等面板上。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發(fā)展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。

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四、對準（Alignment）

光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準技術也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。從對準原理上及標記結 構分類 ，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。在光刻膠的生產(chǎn)上，我國主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，2015年據(jù)統(tǒng)計我國光刻膠產(chǎn)量為9。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。